Cтраница 2
Соотношения (7.2) и (7.3) определяют как максимально допустимые постоянные напряжения помех, так и амплитуды импульсных помех большой длительности. Если длительность импульса помехи уменьшается настолько, что становится меньше времени переключения ЛЭ, то допустимая амплитуда импульсной помехи возрастает. Следовательно, импульсная помехоустойчивость может быть выше статической. [16]
При Т - 25 - 0 С максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база снижается линейно до 37 В. [17]
Через / ram и UFGm на рис. 10.25 и 10.26 обозначены максимально допустимый постоянный ток и максимально допустимое постоянное напряжение на управляющем электроде. Значения этих параметров для различных типов тиристоров достигают 1 - 2 А и 8 - 12 В. [18]
Импульсное напряжение на затворе МДП-транзистора ( если его значение специально не оговаривается в частных технических условиях на прибор) не должно превышать максимально допустимого постоянного напряжения. [19]
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер ( при Тф 0 5 мкс) при понижении температуры корпуса от 233 до 213 К и при повышении температуры корпуса от 358 до 373 К снижается линейно до 350 В; при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К это напряжение снижается линейно до 300 В. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К снижается линейно до 300 В. ЭБ-Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 5 мм от корпуса. [20]
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер ( при Тф 0 5 мкс) при понижении температуры корпуса от 233 до 213 К и при повышении температуры корпуса от 358 до 373 К снижается линейно до 350 В; при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К это напряжение снижается линейно до 300 В. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К снижается линейно до 300 В. При подаче на закрытый транзистор импульса напряжения с С / кэ иКЭОтр амплитуда тока при переходном процессе не должна превышать 0 4 В / ЛЭБ-Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 5 мм от корпуса. [21]
Тф 0 5 мкс) при понижении температуры корпуса от 233 до 213 К и при повышении температуры корпуса от 358 до 373 К снижается линейно до 350 В; при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К это напряжение снижается линейно до 300 В. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса от 373 до 398 К снижается линейно до 300 В. [22]
С максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер снижается линейно. При 1ф 3 мкс максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер снижается линейно до ТОО В при 1ф - Of мкс. [23]