Cтраница 2
![]() |
Конструктивная схема высокочастотного ( дрейфового. [16] |
У германиевых низкочастотных триодов предельно допустимое напряжение ( при включении триодов по схеме рис. 2.18, а) лежит обычно в пределах - 30ч - - 60 в; у кремниевых триодов эти значения в 1 5 - 2 раза выше; у высокочастотных триодов - не превышают обычно 10 - 15 в. Рассеиваемая мощность у маломощных триодов колеблется в пределах 150 - 250 мет. [17]
![]() |
Характер изменения емкости стекло-керамических конденсаторов. [18] |
Под номинальным напряжением понимают предельно допустимое напряжение постоянного тока или сумму напряжений постоянного и переменного ( амплитудное значение) тока, при котором конденсатор может работать в течение гарантированной долговечности ( срока службы) при максимальной рабочей температуре. [19]
Под номинальным напряжением конденсатора понимается предельно допустимое напряжение постоянного тока ( или сумма напряжений постоянного и переменного токов), при котором конденсатор может работать в течение гарантируемого срока службы при максимально допустимой рабочей температуре. [20]
![]() |
Зависимость толщины покрытия от продолжительности электроосаждения. [21] |
При увеличении интенсивности перемешивания возможно повышение предельно допустимого напряжения электроосаждения, так как перемешивание способствует выравниванию и уменьшению температуры на поверхности изделия. [22]
Для оконечного каскада выбирают транзисторы с предельно допустимым напряжением коллектор-эмиттер по крайней мере на 20 % большим напряжения питания. [23]
![]() |
Проверка транзисторов с помощью омметра.| Проверка транзисторов с помощью вольтметра. [24] |
Нужно помнить, что для ряда транзисторов предельно допустимые напряжения на переходах меньше, чем напряжения батарей тестера. Так, например, для транзисторов П401 - 5 - П403 и П420Ч - П423 обрат-нйе напряжение на переходе эмиттер - база не должно превышать 1 - 2 В. [25]
![]() |
Проверка транзисторов с помощью омметра. [26] |
Нужно помнить, что для ряда транзисторов предельно допустимые напряжения на переходах меньше, чем напряжения батарей тестера. [27]
![]() |
Схема с общим истоком. [28] |
У МОП-транзисторов следует обращать особое внимание на предельно допустимое напряжение на затворе транзистора, лежащее в пределах 50 - 100 В. При превышении этого напряжения может произойти пробой оксидного слоя затвора, и транзистор будет необратимо поврежден. Такие перенапряжения легко могут возникнуть вследствие высокого входного сопротивления и малой входной емкости транзистора, составляющей несколько пикофарад. Особенно опасны статические заряды, которые могут привести к пробою транзистора даже при касании его рукой. Поэтому при пайке МОП-транзисторов следует заземлять паяльник, прибор и самого монтажника. [29]
При этих испытаниях на электроды ламп подаются предельно допустимые напряжения с учетом возможных в эксплуатации неблагоприятных сочетаний и контролируется отсутствие пробоев и искрений между выводами электродов. [30]