Cтраница 1
Классификация методов выращивания кристаллов в однокомпо. [1] |
Термомеханические напряжения, возникающие в результате неравномерности охлаждения и твердофазных превращений, могут привести к высокому содержанию кристаллических дефектов ( в том числе к образованию двойников), пластической деформации, растрескиванию и раскалыванию кристалла. В том числе и поэтому оптимизация теплообмена является важнейшей задачей при разработке технологического процесса и оборудования для его осуществления. Силовое воздействие на растущий кристалл, приводящее к его деформации или разрушению, может быть осуществлено и в результате давления, колебаний и биений механических частей оборудования, возникающих по целому ряду причин. [2]
Таким образом, термомеханические напряжения на внутренней поверхности значительно больше, чем на внешней. [4]
Выбранная совокупность признаков обеспечивает адекватность термических и термомеханических напряжений в электродах электродуговых печей. Учет режимного фактора может быть обеспечен способом создания разрушающего градиента температур - пропусканием электрического тока, позволяющего варьировать токовые нагрузки в широких пределах. [5]
Теперь она определяется также и термомеханическими напряжениями и деформациями. При сжатии или растяжении вещества изменяются расстояния между частицами и действующие между ними силы, причем эти изменения будут различны в направлении действующей механической силы и перпендикулярном к нему. [6]
Трещины щелочной хрупкости возникают в результате воздействия на металл термомеханических напряжений, появляющихся в эксплуатационных условиях паровых котлов. В этом случае влиянию среды не придается особого значения. [7]
Результаты испытания элемента трубопровода с использованием. [8] |
Сочетание дистанционного термовидения и программных компьютерных комплексов дает возможность определять нестационарные термомеханические напряжения. III связан с амплитудами локальных напряжений степенными зависимостями ( с показателями степени от 2 до 10 - 12), то в такой же степени погрешности определения этих напряжений связаны с погрешностями в определении ресурса. [9]
Термоакустический эффект основан на возбуждении акустических волн изменяющимися во времени термомеханическими напряжениями в результате неравномерного нестационарного распределения температур. [10]
Характер кривых на рис. 4.33 свидетельствует о том, что зона высоких термомеханических напряжений расположена в переходной от фланца к цилиндрической оболочке части конструкции на расстоянии х 6 мм от фланца. В области нахлесточного шва, примыкающей к зоне концентрации напряжений ( 6 х 12 мм), температурные напряжения резко уменьшаются примерно в 6 раз ( до as 80 МПа); в области перехода от сварного соединения к оболочке ( дг 12 мм) напряжения увеличиваются ( до as 200 МПа и ав - 100 МПа), а затем уменьшаются практически до нуля. [12]
Характер кривых на рис. 4.33 свидетельствует о том, что зона высоких термомеханических напряжений расположена в переходной от фланца к цилиндрической оболочке части конструкции на расстоянии х 6 мм от фланца. В области нахлесточного шва, примыкающей к зоне концентрации напряжений ( 6 х 12 мм), температурные напряжения резко уменьшаются примерно в 6 раз ( до as 80 МПа); в, области перехода от сварного соединения к оболочке ( х 12 мм) напряжения увеличиваются ( до as 200 МПа и ав - 100 МПа), а затем уменьшаются практически до нуля. [14]
Два источника тока с использованием микросхемы LM4040 . [15] |