Cтраница 2
![]() |
Использование мембранной аналогии для изучения напряжений в скручиваемом элементе с сечением, представляющим собой многосвязную.| Схема основных параметров, исследуемых на натянутой мембране. [16] |
Величина с определяется также на основании известных напряжений TS вдоль какой-либо из траекторий напряжений. [17]
Порядок расчета в этом случае при известном напряжении питания U может быть таким ( фиг. [18]
![]() |
Характеристика обращенного диода. 206. [19] |
Такой диод в прямом направлении проводит до известного напряжения хуже, чем в обратном. Обратная же ветвь характеристики круче, чем у обычных импульсных диодов. Это позволяет использовать обращенные диоды в качестве эффективных вентильных элементов в схемах с туннельными диодами. [20]
![]() |
Структурные схемы компенсации постоянного напряжения ( а и тока ( б.| Упрощенная принципиальная схема потенциометра постоянного тока. [21] |
В этой схеме измеряемое напряжение их уравновешивается известным напряжением компенсации ык, противоположным ему по знаку. Падение напряжения ик создается током 1р на изменяемом по величине образцовом резисторе RK. Момент компенсации ( уравновешивания) определяется по отсутствию тока в цепи индикатора И. [22]
Абсолютную величину измеряемого тока можно установить, подавая известное напряжение на сетку входной лампы. [23]
Соотношения (2.3.1) позволяют найти внутренние силовые факторы по известным напряжениям в сечении. Но при расчете конструкций на прочность и жесткость возникает, как правило, обратная задача: сначала методом сечений определяются внутренние силовые факторы, а по ним требуется найти напряжения. [24]
Если при данном методе применить источник питания с заранее известным напряжением, то необходимость измерения напряжения вольтметром отпадает, а шкалу амперметра можно сразу отградуировать в значениях измеряемого сопротивления. На этом принципе основано действие многих моделей выпускаемых промышленностью омметров непосредственной оценки. Упрощенная принципиальная схема такого омметра показана на рис. 11.5. Схема содержит источник ЭДС Е, добавочный резистор Rn и амперметр ( обычно микроамперметр) А. [25]
Если при данном методе применить источник питания с заранее известным напряжением, то необходимость измерения напряжения вольтметром отпадает, а шкалу амперметра можно сразу отградуировать в значениях измеряемого сопротивления. На этом принципе основано действие многих моделей выпускаемых промышленностью омметров непосредственной оценки. [26]
Значение тока, проходящего через человека, при известном напряжении прикосновения зависит от сопротивления электрической цепи человека, в которое входят сопротивление его тела, сопротивление обуви, пола или грунта, на котором он стоит. [27]
Указанное матричное уравнение решается с учетом граничных условий и известных напряжений U не полнофазного режима [ см. ( П-112) ], используя приведенные ниже указания о возможности применения уравнений в форме Z для всех видов к. Напряжения узловых точек комплексной схемы замещения определяются по найденным токам / Р и сопротивлениям подматрицы Zn, а по этим напряжениям вычисляются токи ветвей. [28]
Измерение напряжения осциллографом типа ЭО-7 производится методом сравнения с известным напряжением. Ток измеряется по величине падения напряжения на участке цепи, сопротивление которого известно. [29]
Принцип компенсации при измерении ТЭДС заключается в уравновешивании ее известным напряжением AU на калибровочном резисторе RAB, созданным вспомогательным источником тока. [30]