Импульсное прямое напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Настоящий менеджер - это такой, который если уж послал тебя... к чертовой бабушке, то обязательно проследит, чтобы ты добрался по назначению. Законы Мерфи (еще...)

Импульсное прямое напряжение

Cтраница 1


Импульсное прямое напряжение UFM - наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное прямым током заданного значения.  [1]

Метод измерения импульсного прямого напряжения Диоды полупроводниковые. Метод измерения индуктивности Диоды полупроводниковые. Метод измерения дифференциального и динамического сопротивления Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации Диоды полупроводниковые выпрямительные.  [2]

Метод измерения импульсного прямого напряжения Диоды полупроводниковые. Метод измерения индуктивности Диоды полупроводниковые. Метод измерения дифференциального и динамического сопротивления Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации Диоды полупроводниковые выпрямительные. Метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые.  [3]

4 Зависимости средней мощности прямых потерь Р. Р ( АГ и рассеиваемой мощности Ppac от йв э. [4]

Затем по рис. 13.1 определяется расчетное значение импульсного прямого напряжения Ufa - Следует заметить, что при расчетах падение напряжения на контактах не было учтено. Поэтому к расчетному значению UFM, определяемому по рис. 13.1, следует прибавить примерно 0 05 В, чтобы учесть падение напряжения на контактах.  [5]

Диоды, предназначенные для параллельной работы должны отбираться по значениям импульсного прямого напряжения с разбросом в партии не более 0 2 В.  [6]

7 Зависимости прямого напряжения диода и напряжения в открытом состоянии тиристора от плотности тока. [7]

Время жизни дырок в - базе тр для низкочастотного диода рассчитывается из условия обеспечения по возможности меньших значений импульсного прямого напряжения. При больших плотностях прямого тока высокий уровень инжекции реализуется как в n - базе диода, так и в прилегающих к ней относительно слабо легированных участках диффузионных слоев. Эффективная толщина базы диода при этом увеличивается до значения Wsi-50 мкм.  [8]

Если прямое напряжение на каком-либо диоде данного типа больше значения UFM, то конкретное значение предельного тока этого диода будет ниже максимально допустимого для диодов данного типа. Такой диод считается либо бракованным по импульсному прямому напряжению, либо его относят к другому типу силовых диодов с меньшим значением предельного тока.  [9]

Метод измерения времени выключения Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения Диоды полупроводниковые.  [10]



Страницы:      1