Большее отрицательное напряжение
Cтраница 4
Объясняется это тем, что при более высоком анодном напряжении на сетку необходимо подавать большее отрицательное напряжение, чтобы результирующее электрическое поле в пространстве между катодом и сеткой осталось неизменным по величине. [46]
Точки перегиба характеристик, определяющиеся переходом из перенапряженного режима в недона-пряженный для характеристик с большим отрицательным напряжением смещения расположены 1евее, так как в этом случае критический режим наступает и при большем отрицательном напряжении на антидинатронной сетке. [48]
Если это условие не выполняется, то рабочую точку Т надо переместить на характеристику, соответствующую большему отрицательному напряжению Uc. [49]
 |
Семейство анодных характеристик триода типа 6Н8С. [50] |
Как видим из рис. 11 - 14, для запирания лампы при более высоких анодных напряжениях нужно большее отрицательное напряжение на сетке. Поэтому анодно-сеточные характеристики при более высоком анодном напряжении проходят левее. [51]
Импульс поступает только в цепь базы открытого транзистора, так как диод в цепи базы закрытого транзистора закрыт большим отрицательным напряжением коллектора. [52]
При сеточной манипуляции импульсный манипулятор создает в сеточной цепи импульсы, которые отпирают лампу, запертую во время пауз большим отрицательным напряжением смещения. [53]
 |
Схема экспериментальной установки. [54] |
Сигнал от датчика давления Дз поступал через усилитель на электронный ключ, выполненный на тиратроне, запертом в нормальном состоянии большим отрицательным напряжением на его сетке. Тиратрон, открытый положительным импульсом от датчика Д2, остается в этом состоянии до сброса анодного напряжения. [55]
При возрастании принимаемого сигнала увеличивается постоянная составляющая тока детектора, а следовательно, и напряжение на 2 - Вследствие этого на управляющие сетки ламп подводится большее отрицательное напряжение, и усиление каскадов уменьшается. При этом уменьшается смещение а лампах, а усиление возрастает. Благодаря этому напряжение на выходе приемника изменяется IB значительно меньших пределах, чем на его входе. Так, в современных приемниках системы АРУ обеспечивают изменение сигнала на выходе приемника лишь в несколько раз три изменении входного напряжения в сохни и тысячи раз. [56]
В транзисторах с высоким удельным сопротивлением базы наблюдается так называемый эффект смыкания переходов, при котором часть коллекторного перехода, лежащая в базе, при больших отрицательных напряжениях C7Kg, расширяется настолько, что области объемных зарядов эмиттерного и коллекторного перехода - смыкаются. Ширина базы w оказывается равной нулю, согласно ( 12 - 21) коэффициент ап - 1, коэффициент р - оо и наступает пробой. [57]
Точки перегиба характеристик, определяющиеся переходом из перенапряженного режима в недона-пряженный для характеристик с большим отрицательным напряжением смещения расположены 1евее, так как в этом случае критический режим наступает и при большем отрицательном напряжении на антидинатронной сетке. [58]
Дело в том, что если диод в процессе работы нагрелся до высокой температуры, то с поверхности анода может возникнуть термоэлектронная эмиссия, способная дать ток в обратном направлении при больших отрицательных напряжениях на аноде. Это приводит к пробою диода между анодом и катодом, чего допускать нельзя. [59]
Двух паралЛеЛьно включенных ламп, из которых одна имеет густую сетку и большой коэффициент усиления, а другая - редкую сетку и значительно меньший коэффициент усиления. При больших отрицательных напряжениях на управляющей сетке С анодный ток первой лампы равен нулю, а в анодной цепи лампы с редкой сеткой ток протекает. Так как витки, намотанные с большим шагом, занимают лишь небольшую часть сетки, то вторую лампу можно характеризовать малыми размерами анода и - катода. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5