Малое отрицательное напряжение

Cтраница 1

Малое отрицательное напряжение f / ynp на делителе 2 3 при наличии положительного напряжения f / 2 на другом конце этого делителя создает низкое положительное напряжение на базе транзистора Т3, который оказывается поэтому закрытым. [1]

При малых отрицательных напряжениях, вплоть до достижения напряжения пробоя, ток через КС [ фактически отсутствует. После пробоя через КС протекает значительный ток, причем при изменении этого тока в достаточно широких пределах напряжение на КС остается практически постоянным. [2]

Туннельный диод. [3]

Поэтому при самых малых отрицательных напряжениях неосновные носители зарядов попадают в поМе перехода и вызывают там лавинное размножение носителей зарядов, которые ускоряются полем барьера и вызывают резкое увеличение обратного тока перехода. [4]

Стоковые характеристики полевого транзистора с управляющим р - - переходом ( канал п - типа. [5]

В левой части характеристик - линейной области - малому отрицательному напряжению затвора соответствует большое сечение канала, а большому отрицательному напряжению - малое сечение канала. В правой части характеристик - области насыщения - длина канала с почти нулевым сечением увеличивается как при увеличении отрицательного напряжения на затворе, так и при увеличении положительного напряжения на стоке. [6]

Диодные логические схемы и ц ц. [7]

Для определенности примем, что логический нуль изображается малым отрицательным напряжением, а логическая единица - более отрицательным напряжением. [8]

Электронный ток сетки, который имеет место при малых отрицательных напряжениях, появляется в результате того, что электроны за счет своих начальных скоростей могут преодолевать слабое тормозящее поле и попадать на сетку. [9]

На рис. 6.21 изображена вольт-амперная ха рактеристика вакуумного диода. Наличие прямого тока при малых отрицательных напряжениях, обусловленного начальной скоростью электронов вылетающих из накаленного катода, приводит к тому, что при малых напряжениях выпрямление прекращается, и этот ток необходимо компенсировать. [10]

Чувствительность индикатора зависит от формы эквипотенциальных поверхностей и от скорости электронов в начале участка между отклоняющими электродами. Поэтому максимальные чувствительности получаются при малых отрицательных напряжениях на сетках триодов, так как в этом случае токи триодов имеют наибольшее значение, а потенциалы отклоняющих электродов и скорости электронов в пространстве между ними минимальны. Когда напряжения на сетках триодов приближаются к нулю ( от - 1 5 до 0 в) и сопротивления резисторов в цепях сеток достаточно велики, чувствительность по ширине и отклонению несколько понижается и ширина светового пятна увеличивается. Это объясняется тем, что при отсутствии сигнала действительное напряжение на сетке отрицательно ввиду наличия начального электронного сеточного тока. Однако это практически не имеет значения, так как для настройки приемника используется область отрицательных напряжений на сетках выше, чем - 1 5 в, где данный индикатор обеспечивает достаточно высокую чувствительность. [11]

Транзистор в активной области при включении сопротивления между базой и коллектором. [12]

Выходное сопротивление в данной схеме может быть достаточно малым, но обязательно большим, чем в граничном режиме. Транзистор работает в активной области при малом отрицательном напряжении коллектор - база. [13]

Идеализированные характеристики транзистора. [14]

Выходные характеристики гк ф2 ( ик) при Eg const ( рис. 7, в) подобны по форме анодным характеристикам пентода. Линия резкого спада тока коллектора при малых отрицательных напряжениях базы ( в области ее больших токов подобна линии критического режима у характеристик электронных ламп. [15]

Страницы: 1 2