Cтраница 2
Для изучения температурных напряжений на боковых и срединной поверхностях оболочки достаточно произвести расчет напряжений aj, ар, По формулам (4.85) и (4.86) при v 0 3, В 5 рассчитаны температурные напряжения crj, 03 вдоль образующих защемленной и свободно опертой полубесконечных оболочек, нагреваемых внутренними источниками тепла. На рис. 4.11, 4.12 показано изменение температурных напряжений crj, стр при Bi0 l, Bix - 0 01 и разных значениях безразмерного радиуса срединной поверхности защемленной полубесконечной оболочки, На рис. 4.13 показано изменение наибольших значений напря жений на боковых и срединной поверхностях оболочки при Bi0 1, Bii 0 01 ( кривые 1), Bi0 Biil ( кривые 2) в зависимости от безразмерного радиуса ее срединной поверхности. При р 20 и Bi0 - I, Bii - 0 01 ( кривая /), Bi0 Biil ( кривая 2) распределение напряжений в защемленной полубесконечной оболочке изображено на рис. 4.14, 4.15, а в свободно опертой полубесконечной оболочке - на рис. 4.16, 4.17. Напряжения о. Напряжение ст в свободно опертой оболочке достигает максимального значения в области растяжения, переходя с удалением от торца оболочки в область сжатия. На рис. 4.18 показано изменение наибольших температурных напряжений, возникающих в защемленной полубесконечной оболочке, в зависимости от полуширины области нагрева В. [16]