Положительное входное напряжение

Cтраница 4

При воспроизведении восходящей ветви синусоиды ячейки типа А, отпираясь, шунтируют резистор R0 в цепи обратной связи, а ячейки типа В, запираясь, увеличивают входное сопротивление. В результате совместной работы ячеек обоих типов результирующий коэффициент передачи уменьшается при увеличении входного напряжения. При этом выходное напряжение имеет положительную полярность при положительном входном напряжении. Когда же начинает воспроизводиться нисходящая ветвь синусоиды, отпираются ячейки типа А, включенные на входе суммирующего усилителя. Так как суммирующий усилитель сдвигает фазу на 180, то составляющая выходного напряжения, возникающая из-за отпирания ячеек типа А, на выходе имеет отрицательный знак и вычитается из составляющей выходного напряжения, образованной работой ячеек типа В. [46]

Перед началом преобразования величины их все триггеры устанавливаются в нулевое состояние. После этого коммутатор выдает импульс с выхода п - 1 и перебрасывает триггер Г 1 в единичное состояние. Благодаря этому вентиль Вп-1 отпирается, и на вход усилителя У поступает напряжение и0 через сопротивление Rn. Это напряжение подается на блок сравнения БС. При положительном входном напряжении БС выдает также положительное напряжение, достаточное для отпирания вентиля В /, а при отрицательном - нулевое или такое, при котором вентиль надежно заперт. [47]

Схема ( а и передаточная. [48]

На рис. 8.13, а приведена схема ключа на биполярном транзисторе. Входная ( управляющая) цепь здесь отделена от выходной ( управляемой) цепи. Ключ мало отличается от усилителя, выполненного по схеме с общим эмиттером. Однако транзистор работает в ключевом режиме, характеризуемом двумя состояниями. Первое состояние определяется точкой А. Режим отсечки реализуется при отрицательных потенциалах базы. Второе состояние определяется точкой А 2 и называется режимом насыщения. Он реализуется при положительных потенциалах базы. I (, UBJR, поскольку сопротивление открытого эмиттерного перехода мало. Из режима отсечки в режим насыщения транзистор переводится воздействием положительного входного напряжения. При этом повышению входного напряжения ( потенциала базы) соответствует понижение выходного напряжения ( потенциала коллектора), и наоборот. В рассмотренном транзисторном ключе уровни выходного напряжения, соответствующие режимам отсечки и насыщения, стабильны и почти не зависят от температуры. [49]

Страницы: 1 2 3 4