Cтраница 1
Усилитель на транзисторе, включенном по схеме с общим. [1] |
Фиксированное напряжение смещения получают с помощью делителя ( рис. 95, б); такая схема имеет преимущество по сравнению со схемой, показанной на рис. 95, а, в отношении независимости смещения от температуры. Недостатками схемы с делителем являются несколько повышенный расход энергии и снижение входного сопротивления усилителя за счет шунтирующего действия резисторов делителя. [2]
При фиксированных напряжениях смещения и для данной частоты coi величина Rn достигает максимума при tf 1 / соь Так как величина т сильно зависит от температуры, а константа пропорциональности имеет слабую температурную зависимость ( по крайней мере в тех случаях, когда уровни ловушек захвата попадают на собственный уровень Ферми), то из этого следует, что при изменении температуры величина Rn должна иметь один или несколько максимумов в зависимости от числа различных центров захвата носителей ( ловушек), присутствующих в образце. [3]
Выбор рабочей точки. [4] |
Такой вид смещения аналогичен фиксированному напряжению смещения в ламповых усилителях. [5]
Для усиления класса В желательно фиксированное напряжение смещения. Автоматическое напряжение смещения малопригодно, потому что ток покоя в режиме класса В почти равен нулю и не может создать на сопротивлении смещения достаточное падение напряжения. При наличии же колебаний постоянная составляющая анодного тока изменяется в зависимости от амплитуды колебаний и будет изменяться напряжение смещения. [6]
Аноды ламп оконечной ступени, имеющей фиксированное напряжение смещения, во время усиления речи оратора накаливаются до темно-красного цвета, а в паузах становится совсем темными. В каком режиме работает ступень: в классе А или АВ. [7]
Аноды ламп оконечной ступени, имеющей фиксированное напряжение смещения, во время усиления речи оратора накаливаются до темно-красного цвета, а в паузах становятся совсем темными. В каком режиме работает ступень: в классе А или АВ. [8]
Следует отметить, что для усиления класса В необходимо фиксированное напряжение смещения. Автоматическое напряжение смещения непригодно. Это объясняется тем, что ток покоя в режиме класса В очень мал или даже равен нулю и не может создать на сопротивлении смещения достаточное падение напряжения. При наличии же колебаний постоянная составляющая анодного тока все время изменяется в зависимости от амплитуды колебаний и все время будет изменяться напряжение смещения. [9]
Построение модуляционной характеристики при анодной модуляции с автоматическим смешением в цепи сетки генератора. [10] |
На рис. 10.15 показано семейство статических модуляционных характеристик при различных фиксированных напряжениях смещения. [11]
Параметры высоковольтного транзистора MJ16006A при различных режимах выключения. [12] |
Анализ полученных данных показывает, что наиболее оптимальным является режим выключения с фиксированным напряжением смещения - 5 В при использовании цепи нелинейной обратной связи. Режим выключения с фиксированным током базы - 2 А при относительно хорошей динамике переключения значительно уступает по размерам ООБР для высоковольтного применения. Увеличение запирающего тока более - 2 А, как показали исследования, не улучшает параметров выключения. [13]
При прохождении через резистор R3 тока / э значительно уменьшается напряжение, которое действует в противофазе с фиксированным напряжением смещения, снимаемым с резистора R2 делителя R1R2, С повышением температуры возрастает ток / э, что вызывает увеличение тока / б и / к. Емкость С3 блокирует по переменному току резистор Ra, благодаря чему устраняется падение напряжения сигнала на резисторе, исключается ООС по переменному току и сохраняется постоянство коэффициента усиления каскада. [14]
В случае лампового усилителя относительно просто провести нагрузочную прямую на семействе анодных характеристик лампы, включенной по схеме с общим катодом, выбрать рабочую точку и установить ее либо с помощью фиксированного напряжения смещения от отдельного источника, либо включением резистора в цепь катода. Такой же способ возможен и в случае усилителя на транзисторах. [15]