Cтраница 1
Одноосные напряжения изменяют симметрию зоны Бриллюэна. Поскольку нек-рые точки k в зоне становятся при этом неэквивалентными, приложение одноосного напряжения приводит к дополнит, расщеплению уровней. Это детально проверен) при исследовании пьезопоглощения света у края межзонного перехода и пьезоотражения в др. критич. [1]
Одноосное напряжение растяжения X приложено вдоль оси [100] в кристалле типа цинковой обманки. [2]
Прикладывая соответствующее одноосное напряжение, мы можем сдвигать дно различных долин вниз по энергии и переводить электроны из двух обычных долин в другую их совокупность. Проведено много экспериментов по влиянию одноосных напряжений на различные свойства поверхностных каналов. [4]
ЛИНЕЙНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ, одноосные напряжения ( собственные) - напряжения, действующие по одному направлению в теле. [5]
В этом случае одноосное напряжение вдоль [001] не расщепляет эквивалентные [111] долины, также как одноосное давление вдоль [111] не расщепляло [100] долины. [6]
Рассмотрим процесс образования собственных одноосных напряжений первого рода вследствие неравномерного нагрева и остывания тела. Допустим, что материал детали пластичен. Его диаграмма деформации при испытании на растяжение изображена на фиг. Пунктиром показана схематизированная диаграмма, которая построена в предположении, что материал при деформации работает упруго, а при е гт деформируется совершенно пластично. [7]
При таком переходе диаграммы одноосного напряжения весьма существенно корректируются. [8]
По теории наибольших касательных напряжений одноосное напряжение растяжения равнозначно равновеликому напряжению от сжатия. Для материалов, к которым это положение не относится, теория касательных напряжений дополнена Мором. [9]
Пусть при первом нагружении получается одноосное напряжение растяжения ( о) ], превышающее предел текучести: ( al) l ат. [10]
С целью повышения точности измерения одноосных напряжений за счет устранения влияния температуры исследуемого объекта был разработан метод дополнительной нагрузки. [11]
![]() |
Уменьшение числа случайно ориентированных элементов. [12] |
Элементы, ориентированные в направлении одноосного напряжения ( cos 01), испытывают наибольшее первоначальное напряжение ( W0) и разрушаются прежде всего. Угловое распределение f ( cos Ф, время) показано для трех различных стадий развития дефекта, а именно когда f ( 1, время) падает соответственно до 0 5 и 0 и при его значении непосредственно перед разрушением полимера, где численные расчеты прекращаются, поскольку разрушение уцелевших элементов происходит при слишком высокой скорости деформирования. [13]
Это также справедливо при наличии соответствующих одноосных напряжений, когда подзоны, связанные с другими долинами, могут иметь такую же или меньшую энергию и электроны перетекают из двух обычных долин в другие долины инверсионных л-слоев на поверхностях Si. В этом разделе мы кратко рассмотрим работы по такому многоподзонному переносу в инверсионном л-слое на поверхности ( 100) Si при достаточно низких температурах. Задача связана также со структурой подзон; можно ожидать, что результаты подобных исследований дадут дальнейшую информацию об этой структуре и механизмах рассеяния в рассматриваемой системе. [14]
По соображениям симметрии можно показать, что одноосное напряжение вдоль направления [100] приведет к отщеплению зоны, обозначенной как Х), от остальных двух зон. Таким образом, напряжение [100] расщепляет три зоны на синглет и дублет. [15]