Одноосное напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизненно важные бумаги всегда демонстрируют свою жизненную важность путем спонтанного перемещения с места, куда вы их положили на место, где вы их не сможете найти. Законы Мерфи (еще...)

Одноосное напряжение

Cтраница 1


Одноосные напряжения изменяют симметрию зоны Бриллюэна. Поскольку нек-рые точки k в зоне становятся при этом неэквивалентными, приложение одноосного напряжения приводит к дополнит, расщеплению уровней. Это детально проверен) при исследовании пьезопоглощения света у края межзонного перехода и пьезоотражения в др. критич.  [1]

Одноосное напряжение растяжения X приложено вдоль оси [100] в кристалле типа цинковой обманки.  [2]

3 Расчетная и экспериментальная подвижности, ограниченные рассеянием на шероховатостях поверхности для двух различных значений No6cm. Параметры шероховатостей считаются равными. Д 4 0 А, Л 15 А. Сплошные линии - расчет с учетом двух подзон, Е0 и.. Точечная линия - расчет в предположении о заполнении лишь низшей подзоны. Штриховая линия - расчет в пренебрежении межподзонным рассеянием. Экспериментальные значения взяты из работы. Светлые кружки и сплошная кривая, отмеченная крестиком, соответствуют ЛГо6едн 1 9 1012 см-2. Темные кружки и остальные кривые соответствуют No6euK 3 6 10 см-2. [3]

Прикладывая соответствующее одноосное напряжение, мы можем сдвигать дно различных долин вниз по энергии и переводить электроны из двух обычных долин в другую их совокупность. Проведено много экспериментов по влиянию одноосных напряжений на различные свойства поверхностных каналов.  [4]

ЛИНЕЙНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ, одноосные напряжения ( собственные) - напряжения, действующие по одному направлению в теле.  [5]

В этом случае одноосное напряжение вдоль [001] не расщепляет эквивалентные [111] долины, также как одноосное давление вдоль [111] не расщепляло [100] долины.  [6]

Рассмотрим процесс образования собственных одноосных напряжений первого рода вследствие неравномерного нагрева и остывания тела. Допустим, что материал детали пластичен. Его диаграмма деформации при испытании на растяжение изображена на фиг. Пунктиром показана схематизированная диаграмма, которая построена в предположении, что материал при деформации работает упруго, а при е гт деформируется совершенно пластично.  [7]

При таком переходе диаграммы одноосного напряжения весьма существенно корректируются.  [8]

По теории наибольших касательных напряжений одноосное напряжение растяжения равнозначно равновеликому напряжению от сжатия. Для материалов, к которым это положение не относится, теория касательных напряжений дополнена Мором.  [9]

Пусть при первом нагружении получается одноосное напряжение растяжения ( о) ], превышающее предел текучести: ( al) l ат.  [10]

С целью повышения точности измерения одноосных напряжений за счет устранения влияния температуры исследуемого объекта был разработан метод дополнительной нагрузки.  [11]

12 Уменьшение числа случайно ориентированных элементов. [12]

Элементы, ориентированные в направлении одноосного напряжения ( cos 01), испытывают наибольшее первоначальное напряжение ( W0) и разрушаются прежде всего. Угловое распределение f ( cos Ф, время) показано для трех различных стадий развития дефекта, а именно когда f ( 1, время) падает соответственно до 0 5 и 0 и при его значении непосредственно перед разрушением полимера, где численные расчеты прекращаются, поскольку разрушение уцелевших элементов происходит при слишком высокой скорости деформирования.  [13]

Это также справедливо при наличии соответствующих одноосных напряжений, когда подзоны, связанные с другими долинами, могут иметь такую же или меньшую энергию и электроны перетекают из двух обычных долин в другие долины инверсионных л-слоев на поверхностях Si. В этом разделе мы кратко рассмотрим работы по такому многоподзонному переносу в инверсионном л-слое на поверхности ( 100) Si при достаточно низких температурах. Задача связана также со структурой подзон; можно ожидать, что результаты подобных исследований дадут дальнейшую информацию об этой структуре и механизмах рассеяния в рассматриваемой системе.  [14]

По соображениям симметрии можно показать, что одноосное напряжение вдоль направления [100] приведет к отщеплению зоны, обозначенной как Х), от остальных двух зон. Таким образом, напряжение [100] расщепляет три зоны на синглет и дублет.  [15]



Страницы:      1    2    3    4