Запирающее напряжение
Cтраница 3
При запирающем напряжении величина гдиф резко возрастает и имеет место соотношение гдиф г, поэтому в области низких частот схему замещения перехода можно преобразовать к виду рис. 4.7, г. При действии обратного напряжения основное влияние на работу перехода в области высоких частот оказывает барьерная емкость, величина которой уменьшается с увеличением обратного напряжения, а диффузионная емкость отсутствует. [31]
Согласно [6.1] запирающее напряжение / Уу00 05 - 7 - 0 12 В для транзисторов с р 10 - т - ЮО. [32]
Мц - запирающее напряжение на модуляторе, ( Умод - модулирующее напряжение, / л, макс - максимально допустимый ток луча. [33]
ГЛОи - запирающее напряжение на базе, превышение которого приводит к электрическому пробою базо-змиттернсго перехода транзистора. Механизм пробоя аналогичен описанному ранее. Так как структура базо-эмнт-терного перехода мощных высокочастотных транзисторов отличается от структуры базо-коллекторного перехода, то С / бядоа 1 5 - f - 5 В. [34]
При подаче запирающего напряжения уменьшается наклон выходных характеристик ПТ в омической области и, следовательно, увеличивается выходное сопротивление. [35]
При наличии запирающего напряжения на базе время выключения значительно уменьшается благодаря более быстрому рассасыванию неосновных носителей под влиянием приложенного напряжения. Для ускорения процесса включения и выключения триода параллельно сопротивлению R z включается конденсатор С ( фиг. RzC и этим увеличивает крутизну нарастания отрицательного напряжения на базе триода. [36]
 |
Вольт-амперные характеристики стабилитрона.| Схемы с применением стабилитронов. [37] |
При подаче запирающего напряжения этот заряд рассасывается и вызывает протекание импульса тока, который может во много раз превышать установившуюся величину обратного тока. [38]
 |
Формы тока и напряжения при включении импульсного диода в прямом направлении.| Формы тока и напряжения при переключении импульсного диода. [39] |
При подаче запирающего напряжения этот заряд рассасывается и вызывает протекание импульса тока, который может во много раз превышать установившуюся величину обратного тока. [40]
С увеличением запирающего напряжения будет падать величина 1к, при которой начинается вторичный пробой. [41]
 |
Схема замещения триода для режима отсечки. [42] |
При отсутствии запирающего напряжения коллекторный ток триода зависит от напряжения питания и значительно возрастает по сравнению со случаем активного запирания. [43]
 |
Упрощенная структурная схема поддержания скорости двигателя постоянного тока с независимым возбуждением в ионном электроприводе. [44] |
Величина отрицательного запирающего напряжения t / 3an должна быть достаточно большой для того, чтобы обеспечить надежное запирание вентиля при всех обстоятельствах, но не настолько, однако, чтобы создавались условия, вызывающие обратное зажигание. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5