Cтраница 1
![]() |
Нагрузочная линия и исходная точка полупроводникового триода. [1] |
Базовое напряжение ( или ток), соответствующее данной исходной точке, записано на статической характеристике, проходящей через эту точку. [2]
![]() |
Фотоэлектронные реле, о - однокаскадное. б - двухкаскадное. в - с триггером Шмитта. [3] |
Базовое напряжение транзистора Т2 отрицательно, а ток его равен нулю. При освещении фоторезистора транзистор TI закрывается, а Т % открывается, и поэтому реле Р срабатывает. [4]
Часто базовое напряжение t / 0 100 в принимают за одну машинную единицу. [5]
![]() |
Расчетные выражения для определения приведенных значений сопротивлений. [6] |
За базовое напряжение удобно принимать среднее напряжение той ступени, на которой имеет место КЗ. [7]
За базовое напряжение обычно принимают предел линейности вязкоупругпх свойств. [8]
За базовое напряжение обычно принимается номинальное / ом или среднее расчетное t / cp напряжение какой-либо ступени трансформации. [9]
![]() |
Инвертор с нелинейной обратной связью. [10] |
Колебания базового напряжения изменяют статические и динамические характеристики инвертора. В схеме, показанной на рис. 4.6, б, запирающее напряжение на базе ограничивается диодом Д и не может заметно возрастать. [11]
Разброс базовых напряжений между лучшими и худшими транзисторами при фиксированном токе в линейной части характеристик находится измерением на выбранном образце или определяется изготовителем. Для транзистора типа 2N240 возможное значение разброса составляет 0 05 в при / В 1 0 ма. Лучшая и худшая базовые кривые могут быть затем получены с достаточной точностью из средней кривой, если допустить, что точки, соответствующие лучшему и худшему напряжениям, при любом токе смещены на 12 % по отношению к средней кривой транзистора. [12]
Источник базового напряжения предназначен для обеспечения инжекции основных носителей из / ьобласти коллектора в л-область базы через коллекторный переход, источник эмиттер-ного напряжения Еэ - для создания экстракции в эмиттерном переходе. [13]
![]() |
Импульсные диаграммы. [14] |
Ci запирающее базовое напряжение 62 транзистора Тг постепенно уменьшается и, наконец ( при Мб20), транзистор открывается. [15]