Базовое напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Настоящая женщина должна спилить дерево, разрушить дом и вырастить дочь. Законы Мерфи (еще...)

Базовое напряжение

Cтраница 1


1 Нагрузочная линия и исходная точка полупроводникового триода. [1]

Базовое напряжение ( или ток), соответствующее данной исходной точке, записано на статической характеристике, проходящей через эту точку.  [2]

3 Фотоэлектронные реле, о - однокаскадное. б - двухкаскадное. в - с триггером Шмитта. [3]

Базовое напряжение транзистора Т2 отрицательно, а ток его равен нулю. При освещении фоторезистора транзистор TI закрывается, а Т % открывается, и поэтому реле Р срабатывает.  [4]

Часто базовое напряжение t / 0 100 в принимают за одну машинную единицу.  [5]

6 Расчетные выражения для определения приведенных значений сопротивлений. [6]

За базовое напряжение удобно принимать среднее напряжение той ступени, на которой имеет место КЗ.  [7]

За базовое напряжение обычно принимают предел линейности вязкоупругпх свойств.  [8]

За базовое напряжение обычно принимается номинальное / ом или среднее расчетное t / cp напряжение какой-либо ступени трансформации.  [9]

10 Инвертор с нелинейной обратной связью. [10]

Колебания базового напряжения изменяют статические и динамические характеристики инвертора. В схеме, показанной на рис. 4.6, б, запирающее напряжение на базе ограничивается диодом Д и не может заметно возрастать.  [11]

Разброс базовых напряжений между лучшими и худшими транзисторами при фиксированном токе в линейной части характеристик находится измерением на выбранном образце или определяется изготовителем. Для транзистора типа 2N240 возможное значение разброса составляет 0 05 в при / В 1 0 ма. Лучшая и худшая базовые кривые могут быть затем получены с достаточной точностью из средней кривой, если допустить, что точки, соответствующие лучшему и худшему напряжениям, при любом токе смещены на 12 % по отношению к средней кривой транзистора.  [12]

Источник базового напряжения предназначен для обеспечения инжекции основных носителей из / ьобласти коллектора в л-область базы через коллекторный переход, источник эмиттер-ного напряжения Еэ - для создания экстракции в эмиттерном переходе.  [13]

14 Импульсные диаграммы. [14]

Ci запирающее базовое напряжение 62 транзистора Тг постепенно уменьшается и, наконец ( при Мб20), транзистор открывается.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5