Блокируемое напряжение

Cтраница 1

Блокируемое напряжение находим интегрированием напряженности поля по области объемного заряда. [1]

При повышении блокируемого напряжения оба коэффициента возрастают, так как переход / 2 расширяется, а базовые области сужаются. [2]

Режим работы схемы определяет диапазон изменения амплитуды блокируемых напряжений и тока ключа, соответственно, в его закрытом и открытом состоянии. Поэтому большой интерес представляют зависимости параметров прибора от воздействия выходных токов и напряжений. Для самого ключевого прибора связь выходного тока и напряжения задается выходной характеристикой. Это одна из важнейших характеристик, которая определяет, какой выходной ток может протекать через прибор при определенном выходном напряжении для заданного входного воздействия. Для всех основных разновидностей транзисторов выходные характеристики представлены на 3.5 - 3.8. Данные зависимости являются статическими, поэтому для ключевого режима работы состояние транзистора по выходу определяется перемещением его рабочей точки вдоль линии нагрузки. В качестве примера для биполярного транзистора на 3.9 представлены траектории перемещения рабочей точки для некоторых вариантов нагрузки. Отношение изменения выходного тока транзистора к изменению входного воздействия при заданном выходном напряжении определяет один из главных параметров эффективности прибора - коэффициент усиления. Для ключевого применения данный коэффициент интересен в режиме большого сигнала, т.е. в широком диапазоне изменения выходного тока. Для транзисторов с биполярным режимом работы усилительные свойства прибора определяются коэффициентом передачи тока. [3]

Схема формирователя импульсов управления СТО. [4]

Данные приборы по предельно переключаемой мощности, блокируемому напряжению, устойчивости к перегрузкам приближаются к однооперационным тиристорам, а по способу управления - к биполярным и полевым транзисторам. В табл. 37.19 представлены основные параметры мощных двухоперационных тиристоров ведущих зарубежных фирм. [5]

Поскольку требования потребителей в отношении токов нагрузки, блокируемых напряжений, частоты и времени переключения весьма широки, не существует единого типа полупроводникового ключа универсального применения. Современное состояние силовых приборов достаточно подробно отражено в справочных каталогах и литературе по применению ведущих фирм-производителей, среди которых отметим Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, Semikron, Motorola. Лидирующие мировые позиции, новейшие технологические разработки новых поколений, наконец, партнерство в научном и учебном плане заставляют обратить первоочередное внимание именно на достижения этих компаний. Конечно, мы будем обращать внимание и на уникальные разработки других фирм, дополняющие общую картину современного состояния полупроводниковых силовых ключей. [6]

УПВ в цепочке, обеспечив таким образом равномерное распределение прямого блокируемого напряжения между отдельными УПВ. Так как в обратном направлении УПВ не переключаются, цепочка последовательно соединенных УПВ в общем к распределению обратного напряжения менее чувствительна, чем к распределению прямого. Поэтому способы выравнивания напряжения в прямом направлении пригодны и для распределения напряжения в обратном направлении. [7]

Для случая последовательного соединения двух УПВ можно приближенно определить оптимальную величину емкостей связи Ci и С2 при нескольких следующих упрощающих предположениях: Ci C2; yfJBi включается линейно за 1 мксек; падение напряжения при протекании тока включения IGT через последовательно-параллельные R3, Ri и R7 незначительно по сравнению с минимальным общим блокируемым напряжением Е, при котором должно произойти включение. [8]

Такая геометрия позволяет сочетать высокое блокируемое напряжение с относительно малым напряжением в проводящем состоянии при большой плотности тока, определяемой в осн. Однако при этом необходимо использовать спец. [9]

При приложении к затвору отрицательного напряжения вокруг управляющих р - п - - переходов формируется область пространственного заряда, главным образом простирающаяся в глубь л - слоя. Если увеличить выходное напряжение сток-исток при заданном отрицательном смещении на затворе, электрическое поле стока будет проникать в глубь канала и снижать потенциальный барьер обратносмещенного перехода При определенном значении выходного напряжения потенциальный барьер исчезает и в канале появляется ток Способность структуры перекрывать воздействие внешнего напряжения характеризуется параметром т, называемым коэффициентом блокирования. Этот коэффициент определяется как отношение абсолютных значений внешнего напряжения сток-исток к управляющему напряжению затвор-исток при некотором минимально допустимом токе стока. Геометрические и электрофизические параметры эпитаксиального гг-слоя определяют максимально допустимые значения блокируемых напряжений. Одним из главных механизмов пробоя в структуре СИТ является лавинный механизм умножения носителей, названный лавинным пробоем. Данный пробой возникает при чрезмерном увеличении напряженности электрического поля в гг-области или с ростом температуры кристалла и всегда проявляется в виде пробоя между стоком и затвором. [10]

В исходной высокоомной кремниевой пластине п - при помощи двусторонней диффузии акцепторной примеси формируют р - область анода и р-область базового слоя тиристора. Затем, применяя локальную донор-ную диффузию, создают л - области катода и поверхностные участки управляющего электрода к узкой р-базе. Важным моментом является точность воспроизведения геометрических размеров каждой области, что обеспечивает идентичность характеристик отдельных ячеек. Структура на 2.52, а используется в приборах с высоким обратным напряжением близким по величине к прямому блокируемому напряжению. О бла-стью применения таких тиристоров являются преобразователи без обратных шунтирующих диодов, например управляемые выпрямители Поскольку обратное напряжение тиристора падает на анодном р - л - - пере-ходе, р - область анода выполняется однородной по всей площади ячейки. Однако это повышает падение прямых напряжений на открытой структуре ( 2.5 В) и увеличивает токи утечки. В структуре данных тиристоров через высоколегированные п - участки, сформированные в анодном слое, осуществляют распределенное шунтирование соответствующего перехода. Такие приборы не способны блокировать высокие обратные напряжения. [11]

Страницы: 1