Коммутирующее напряжение

Cтраница 2

Скважность коммутирующего напряжения должна быть достаточно большой. [16]

Структурная схема поиска дефекта методом воздействия. [17]

Вывод: коммутирующие напряжения на СК-С-23 поступают. [18]

Величина скважности коммутирующего напряжения должна быть достаточно велика. Это требование обусловлено следующим обстоятельством. Когда напряжение на емкости становится близким к Ео, возникает режим работы схемы, при котором диод открывается, но величина импульса тока ip, обусловленная коммутирующим напряжением, еще недостаточна для срабатывания реле. Этот импульс тока разряжает емкость С, в результате чего скорость нарастания напряжения ис уменьшается. При малой скважности и большом значении R может наступить такое состояние схемы, при котором заряд емкости С, обусловленный действием источника Ек в течение периода коммутирующего напряжения, будет компенсироваться разрядом емкости за счет импульса ек. [19]

При синфазности коммутирующих напряжений ( ф2 - рз 0) в напряжении (7.81) исчезают гармонические составляющие боковых частот. [20]

Напряжение источника коммутирующего напряжения выбирают 0 8 - 1 в для германиевых транзисторов и 1 - 1 5 в для кремниевых. [21]

При полярностях коммутирующего напряжения, указанных на схеме, ТП и ПТ4 открыты, а ПТ2 и ПТ3 - заперты. При этом напряжение небаланса с диодного ограничителя на диодах Д3э и Д - ю прикладывается к верхней по схеме половине первичной обмотки w трансформатора Трв. [22]

Буферный усилитель коммутирующего напряжения представляет собой обычный двухтактный усилитель. Усилитель не охватывается отрицательной обратной связью, так как в данном случае нестабильность выходного ( коммутирующего) напряжения существенного влияния на погрешность прибора не оказывает. [23]

Характеристики / к / ( U3. 6, 1к. э и / б / ( 11э б, UK. 3.| Ключевые характеристики транзистора.| Схема замещения транзистора, работающего в ключевом режиме. [24]

При небольших коммутирующих напряжениях ( токах) характеристики реального и идеального транзисторов практически совпадают. При больших / э б ( / б) характеристики отличаются друг от друга. Это приводит к тому, что характеристики реального транзистора не имеют общей точки пересечения. [25]

Проводимостью транзисторов управляет коммутирующее напряжение l / t: Полярность напряжения на нагрузке В определяется соотноне-нием фаз сигнального и коммутирующего напряжений. [26]

В следующий полупериод коммутирующего напряжения сигнал прикладывается к нижней половине обмотки да, трансформатора Трв. Конденсатор Cj улучшает коммутацию. На вторичной обмотке трансформатора Трв получается переменное напряжение почти прямоугольной формы. [27]

Применение симистора в качестве бесконтактного ключа переменного тока.| Применение симистора в схеме фазового управления. [28]

Критическая скорость нарастания коммутирующего напряжения ( du / dt) - максимальная скорость нарастания напряжения, прикладываемого к симистору в направлении, противоположном направлению протекающего тока, при которой не происходит включения симистора. [29]

Напряжение сигнала ис и коммутирующее напряжение ик должны совпадать по фазе. Обычно это достигается путем получения этих напряжений от одного источника питания и применением фа-зосдвигающих схем. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5