Cтраница 3
Напряженность в данной точке поля системы точечных зарядов равна векторной сумме напряженностей полей, создаваемых в этой точке каждым зарядом в отдельности. Это положение выражает принцип суперпозиции ( независимого наложения) электрических полей. Сущность суперпозиции полей состоит в том, что вокруг каждого заряда рассматриваемой системы существует собственное электрическое поле, напряженность которого не зависит от наличия полей, образованных другими зарядами. В каждой точке поля происходит независимое наложение полей, создаваемых отдельными зарядами системы. [31]
Напряженность в каждой точке поля равна векторной сумме напряженностей Е1 и В2 полей, создаваемых этими плоскостями. [32]
Напряженность электрического и магнитного полей в узлах стоячей волны равна нулю, так как амплитуда отраженной волны равна амплитуде падающей волны. Положения узлов напряженности электрического поля ( хс) определяются на частотах, на которых производятся измерения. Напряженность поля в узлах стоячей волны теперь не равна нулю, так как амплитуда отраженной волны за счет рассеивания электромагнитной энергии в образце становится меньше амплитуды падающей волны. Кроме того, все минимумы стоячей волны смещаются в сторону образца, поскольку длина волны в образце меньше длины волны в пустом волноводе. Указанные изменения картины стоячей волны зависят от свойств исследуемого материала и связаны с его электромагнитными характеристиками. [33]
Напряженность Н определяется в зависимости от индукции В и сорта материала по кривым рис. 43, 45, табл. 2 - 4 ( см. гл. [34]
Напряженность и потенциал поля измеряют электрометрами. Измерительный механизм электростатической системы представляет собой конденсатор с неподвижным и подвижным электродами. Если к прибору прикладывается напряжение, то между неподвижной и подвижной обкладками конденсатора возникают силы, действующие в направлении увеличения емкости; при этом подвижный электрод прибора перемещается. [35]
Напряженность магнитного, поля Н0 во внешнем отверстии со стороны резонатора значительно больше напряженности магнитного поля внешнего волновода. [36]
Напряженность в произвольной точке электростатического поля равна градиенту потенциала поля в этой точке, взятому со знаком минус. [37]
Напряженность Е внешнего электрического поля как функция координат меняется в пространстве незначительно. Определить силу F и момент N сил, приложенные к атому с учетом его квадрупольного момента. [38]
Напряженность Н внешнего магнитного поля во всем пространстве однородна. [39]
Напряженность Н магнитного поля в полупространстве однородна, постоянна и направлена параллельно граничной плоскости. Скорость v про - 1она при влете перпендикулярна граничной плоскости. [40]
Напряженность Е электрического поля между обкладками конденсатора однородна и постоянна. [41]
Напряженности Е и Н электрического и магнитного полей в исходной системе координат образуют острый угол. [42]
Напряженность Е электрического поля однородно заряженного шара направлена по радиусу, а модуль вектора Е зависит от расстояния г до центра шара. Эти выводы вытекают из сферической симметрии расположения зарядов. [43]
Напряженность этого дополнительного поля можно приближенно найти, представив себе, что рассматриваемый атом находится в центре сферической полости, вырезанной в окружающем его диэлектрике. Аналогичная задача встречается в электростатике диэлектриков. [44]
Напряженность такого магнитного поля называют критической. Она зависит от температуры. Кривая ЭеКр ( Т) на плоскости Т36 разграничивает области сверхпроводящего и нормального состояний металла. [45]