Напряженность - внешнее магнитное поле
Cтраница 4
Магнитный гистерезис-неоднозначная зависимость намагниченности магнитного материала от напряженности внешнего магнитного поля при его квазистатическом изменении. [46]
На рис. 30.6 изображена зависимость намагниченности от напряженности внешнего магнитного поля, па. [48]
Напряженность магнитного поля внутри детали равна разности напряженности внешнего магнитного поля и размагничивающего поля. Для получения равной величины внутреннего магнитного поля Я для короткой детали требуется относительно большее внешнее магнитное поле. [49]
 |
Зависимость намагничивания образца от напряженности внешнего магнитного поля.| Кривые намагничивания сверхпроводника II рода. [50] |
В одном случае при достижении критического значения напряженности внешнего магнитного поля Нс сверхпроводящее состояние разрушается. [51]
Рассмотрим доменную структуру ферромагнетика для случая, когда напряженность внешнего магнитного поля равна нулю. [52]
График зависимости индукции магнитного поля в ферромагнетике от напряженности внешнего магнитного поля, в котором он находится, за полный цикл медленного перемагничения образца, называют статической петлей гистерезиса. [53]
 |
Образование полюсов на краях ферромагнитного цилиндра в магнитном поле.| Графическое построение кривой намагничивания вещества по кривой намагничивания тела. [54] |
На рис. 1 - 18 через Нв обозначена напряженность внешнего магнитного поля, через / / о-размагничивающее поле полюсов образца. [55]
На рис. 246 показана зависимость модуля Юнга от напряженности внешнего магнитного поля. [56]
Следует отметить тот факт, что, если напряженность внешнего магнитного поля становится равной нулю, прямая, определяемая формулой ( 3 - 4 - 5), проходит через начало координат и при этом пересекается с кривой L ( x) в точке В. Рассмотрим зависимость спонтанной намагниченности Ms от температуры. При этом величина М3 уменьшается и при тангенсе угла между осью х и прямой L ( x), равном / з, становится равной нулю. [57]
 |
Конструкция КПУ. [58] |
В парамагнитных веществах энергетические уровни ионов зависят от напряженности внешнего магнитного поля, а также от взаимной ориентации магнитного поля относительно оси кристалла. Таким образом, применение соответствующего магнитного поля позволяет выбирать частоту перехода, а следовательно, и частоту, на которой усилитель будет проявлять усилительные свойства. [59]
 |
Схематическое устройство резонатор-ного МУ. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5