Напряженность - магнитные поля
Cтраница 4
Представим далее схему, состоящую из двух одинаковых соленоидов с первичными и вторичными обмотками, внутри которых помещены одинаковые сердечники / d и К2 ( фиг. Первичные обмотки соленоидов соединены последовательно с питающим источником переменного тока таким образом, что в каждый момент времени напряженности магнитных полей, действующих на сердечники / d и / С, будут равны по величине, но противоположны по направлению. Значком Н отмечены векторы мгновенных значений магнитного поля соленоидов. [46]
Каждая карта относится к определенному моменту времени сердечного цикла. Детали карт просты, что делает их удобными для сопоставления как экспериментальных, так н моделированных электрических потенциалов и напряженностей магнитных полей. Замечено Петерсом с соавт. Этого следовало ожидать, так как спина более удалена от источников магнитного поля сердца, чем стенка грудной клетки. [47]
 |
Характеристика дроссельного МУ со смсще. [48] |
Возникающее постоянное магнитное поле подмагничивает материал сердечника и смещает рабочую точку в область насыщения кривой намагничивания материала сердечника. МУ по-разному реагирует на знак входного сигнала, так как подмагпичивание сердечника будет происходить про - порционально сумме или разности напряженностей магнитных полей, создаваемых Обмотками управления и смещения: Н / / см Ну. Одновременно это увеличивает чувствительность усилителя к малым сигналам, так как крутизна характеристики в рабочей зоне максимальна. Все это является достоинствами дроссельного МУ со смещением. Это приводит к напрасным потерям энергии и снижает КПД усилителя. Характеристика усилителя осталась нереверсивной, так как при перемене знака входного сигнала изменяется только амплитуда тоха на выходе, а его фаза остается прежней. [49]
Требуемая форма тока в отклоняющих катушках достигается путем подачи на сетку лампы выходного каскада развертки управляющего напряжения специальной формы. Вследствие того что форма токов, протекающих через катушки вертикального и горизонтального отклонения, примерно одинаковая, а максимальные значения напряженностей магнитных полей, создаваемых этими катушками, примерно равны, можно считать, что за один период развертки в отклоняющих катушках расходуется одинаковая энергия. Если предположить, что мощность, потребляемая отклоняющими катушками за период, полиостью рассеивается, то при частоте строчной развертки, в 312 5 раз большей частоты полукадровой развертки, мощность, потребляемая строчными катушками, будет в 312 5 раз больше мощности, потребляемой катушками кадров. [51]
 |
Параметры конвекции природных объектов. [52] |
Характерные здесь скорости движений - около 5 и 100 км / год. Отметим, что напряженности магнитных полей вблизи поверхностей этих планет находятся примерно в таком же соотношении: на Земле около 0 5 Гс, а на Юпитере - 10 Гс. Для Земли скорость 5 км / год для радиуса 2400 км - полусуммы внешнего и внутреннего радиусов жид кого ядра - такая скорость соответствует 0 1 в год. Это близко к скорости дрейфа недипольных компонент геомагнитного поля. При vm 3 м2 / с, I 106 м 103 км ( полутолщина жидкого слоя в ядре) и и 1 7 10 - 4 м / с получаем Rem 60, т.е. условие действия геомагнитного динамо Rem 1, выполняется с запасом. [53]
 |
Некоторые свойства соединений AmBv ( тип сфалерита. [54] |
Он получается из недорогих веществ. GaSb, возможно, найдет применение в туннельных диодах. InSb имеет ряд выдающихся свойств как полупроводник с узкой запрещенной зоной и резко различными подвижностями электронов и дырок, что позволяет применять его в качестве детекторов в далекой инфракрасной области, в приборах ( основанных на эффекте Холла), с помощью которых измеряют напряженность магнитных полей, и в других целях. [55]
Напряженность магнитного поля тока, идущего между точками А и В по дуге АМВ, в центре окружности противоположна по направлению напряженности магнитного поля тока, идущего между теми же точками по дуге АРВ, так как токи текут по этим дугам в противоположных направлениях. Напряженность магнитного поля в центре окружности пропорциональна силе тока, идущего по дуге окружности, и длине дуги проводника. Так как отношение длин дуг АМВ и АРВ прямо пропорционально их сопротивлениям, то силы тока в этих дугах обратно пропорциональны длинам дуг. Поэтому в центре окружности напряженности магнитных полей, создаваемых в дугах АМВ и АРВ, равны, но поскольку они противоположны по направлениям, результирующая напряженность магнитного поля в центре окружности равна нулю. [56]
 |
Зависимость нормальной составляющей поля и ее производных от ширины раскрытия дефек. [57] |
Магнитные заряды образуются не только на гранях дефекта, но и в прилегающих к ним областях. В углах дефектов плотность магнитных зарядов повышена. В расчетах абсолютных значений напряженности магнитных полей дефектов следует использовать среднее значение о0, полученное предварительно путем эксперимента на увеличенных моделях дефектов из испытуемого материала. Напряженность магнитного поля, рассеяния дефектов определяется не только его размерами, формой и расположением, но и магнитными характеристиками материала, а именно магнитной индукцией, дифференциальной и нормальной магнитными про-ницаемостями в намагниченном состоянии, соответствующем режиму контроля. Чем выше магнитная индукция материала и меньше нормальная и дифференциальная магнитные проницаемости, тем больше напряженность магнитного поля рассеяния дефекта при прочих равных условиях. [58]
В отличие от магнитных явлений ( а они тоже результат повышенной активности Солнца), которые можно обнаружить только с помощью тонких инструментов, сполохи полярных сияний прекрасно видны. По полярным сияниям ученые на протяжении двух тысячелетий наблюдали повто: ряемость одиннадцатилетних циклов солнечной активности. Оказалось, что напряженность магнитных полей там колоссальна. Магнитные поля солнечных пятен покрывают поверхность, равную удесятеренной поверхности земного шара. Понятно, что Ими удерживается львиная доля энергии солнечной атмосферы. [59]
Анализ показывает, что невозможно объективно определить геометрический размер дефекта по амплитуде сигнала входного преобразователя, так как последняя зависит не только от его глубины, но и от ширины раскрытия. По длительности сигнала в первом приближении можно установить, к какому диапазону ширины раскрытия принадлежит дефект, и затем по амплитуде сигнала примерно оценить глубину дефекта данного класса. Для такой оценки целесообразно пользоваться эталонами дефектов различного типа в сталях контролируемой марки. Магнитные заряды образуются не только на гранях дефекта, но и в прилегающих к ним областях. В углах дефектов плотность магнитных зарядов повышена. В расчетах абсолютных значений напряженности магнитных полей дефектов следует использовать среднее значение а, полученное предварительно путем эксперимента на увеличенных моделях дефектов из испытуемого материала. [60]
Страницы: 1 2 3 4