Cтраница 2
В / см, что значительно меньше критической напряженности в равномерном поле. Такое явление объясняется тем, что стример искажает поле в непробитой части промежутка и повышает его напряженность вблизи головки стримера. [16]
В / см, что является критической напряженностью электрического поля. [17]
Более того, они нашли, что критическая напряженность не зависит от частоты. Так как ток частотой 50 Гц легко доступен, дешев и при его использовании не происходит электролиз водных растворов, то его применение может быть целесообразным. Браун и Хансон предположили, что поля переменного тока индуцировали очень большие стягивающие силы между противоположно заряженной поверхностью и каплей, поэтому утончение и разрыв пленки происходили мгновенно. [18]
Как видно из формулы ( 35), критическая напряженность электрического поля зависит только от диаметра коронирующего электрода и давления газа. [19]
В сильных электрических полях, начиная с некоторой критической напряженности, подвижность ионов, а следовательно, и электропроводность жидких диэлектриков делается непостоянной величиной, зависящей от напряжения. [20]
![]() |
Зависимость / тах от концентрации электролитов при Ект, 15 кВ / см. [21] |
Для любой дисперсной системы экспериментально всегда возможно определить критическую напряженность Ек. Величина этой напряженности определяет скорость, с которой ион радиусом г0 преодолевает расстояние до соседнего иона, соизмеримое с длиной свободного пробега. [22]
Как видно из приведенных данных, в полярных жидкостях критическая напряженность, при которой начинается резкий - скачок тока в жидкости, значительно ниже, чем в неполкрной. Можно предполагать, что эти различия обусловлены более благоприятными условиями для развития холодной эмиссии с катода в случае полярной жидкости. [23]
На рис. 2 статьи 1 настоящего сборника показаны зависимости критической напряженности и индукции поля от температуры для некоторых идеальных сверхпроводников. Как видно из этого рисунка, критические напряженности поля идеальных сверхпроводников очень малы. [24]
При промышленной частоте в выражение для Сэ входит величина критической напряженности Ек. Точное определение ее для случая стримерной короны затруднительно. Однако, как и при 50 гц, при высоких частотах редуцированные характеристики потерь на корону пересекаются с осью абсцисс в точках, которые по значениям их величин близки к значениям критического напряжения. [26]
Дан трехслойный плоский конденсатор с перечисленными ниже диэлектрическими проницаемостями и критическими напряженностями диэлектриков. [27]
![]() |
Осциллограмма электростатических разрядов. [28] |
Потенциал заряженной диэлектрической поверхности в случае однородного поля определяется простым умножением критической напряженности ( 3000 кв / м) на пробивное расстояние. [29]
Опыт показывает, что это соответствует действительности, вплоть до некоторой критической напряженности, после превышения которой подвижность начинает возрастать. [30]