Большая напряженность

Cтраница 2

При большой напряженности внешнего электрического поля наблюдается режим инверсии ( рис. 1.19); ему соответствует такое состояние приповерхностного слоя полупроводника, в котором поверхностная концентрация электронов ( неосновных носителей) превышает концентрацию акцепторов. Тонкий хорошо проводящий слой 2 -типа / рис. 1.19, а) с высокой концентрацией электронов называют инверсным, так как его тип проводимости противоположен типу проводимости подложки. [16]

Термический метод определения типа электропроводности полупроводников. [17]

При достаточно большой напряженности электрического поля полупроводник теряет свои специфические свойства вследствие разрушения его структуры. [18]

Схема сравнения сигналов с предварительным интегрированием.| Схема сравнения сигналов фотоумножителей с предварительным их расширением. [19]

Из-за достаточно большой напряженности электрического поля в ионизационной камере электроны и положительные ионы, возникающие при ионизации молекул газа проникающим излучением, не успевают реком-бинировать, поэтому накопленный на аноде камеры отрицательный заряд не зависит от напряженности электрического поля в камере и пропорционален воспринимаемой молекулами газа энергии проникающего излучения. Ионизационные камеры работают в токовом режиме, и их ток при постоянной энергии фотонов пропорционален потоку фотонов проникающего излучения. [20]

Включение транзистора по схеме с общей базой.| Включение транзистора по схеме с общим коллектором.| Включение транзистора по схеме с общим эмиттером.| Схема включения точечного транзистора ( схема с общей базой. [21]

Благодаря относительно большой напряженности электрического поля в запирающем слое ( вследствие поверхностного заряда вольфрама) расширение области объемного положительного заряда в германии ( базе) при протекании прямого тока через эмиттер приводит к более интенсивному росту обратного тока через коллекторный переход и к увеличению коэффициента усиления по току до значений, больших единицы. Падение напряжения от тока в базе складывается с напряжением на эмиттере и еще более увеличивает ток эмиттера, а следовательно, и ток коллектора. Возникает обратная положительная связь. Поэтому во внешних цепях коллектора и эмиттера должны быть предусмотрены токоограничивающие сопротивления. [22]

При достаточно большой напряженности электрического поля вокруг тела в окружающем диэлектрике ( воздухе) возникает разряд ( корона или искра) и воздух теряет свои изолирующие свойства. Потому что у острий напряженность поля велика и поэтому облегчается зажигание коронного разряда. Возле острий зажигается корона и в воздухе появляются ионы. Разноименные с зарядами диска ионы движутся к диску и уничтожают его заряд, одноименные движутся к острию и заряжают его. [23]

При достаточно большой напряженности электрического поля вокруг тела в окружающем диэлектрике ( воздухе) возникает разряд ( корона или искра) и воздух теряет свои изолирующие свойства. Потому чтр у острий напряженность поля велика и поэтому облегчается зажигание коронного разряда, 95.3. Возле острий зажигается корона и в воздухе появляются ионы. Разноименные с зарядами диска ионы движутся к диску и уничтожают его заряд, одноименные движутся к острию и заряжают его. [24]

Такую большую напряженность создать практически трудно. [26]

При больших напряженностях функция Ланжевена стремится к насыщению. [27]

Зависимость удельного сопротивления - жидких диэлектриков от температуры. [28]

При больших напряженностях наблюдается более резкий рост тока, чем по закону Ома, - наблюдается увеличение проводимости, по-видимому, за счет увеличения подвижности ионов. В жидких диэлектриках обычной технической чистоты зависимость тока утечки от напряженности имеет довольно неопределенный характер. При достаточно больших значениях напряженности в обычных недегазированных жидкостях наблюдается увеличение тока утечки за, счет ударной ионизации газовых объемов, находящихся в жидкости в растворенном состоянии. [29]

Зависимость R кристаллов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5