Приведенная напряженность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Экспериментальный кролик может позволить себе практически все. Законы Мерфи (еще...)

Приведенная напряженность

Cтраница 1


1 Разветвленная магнитная цепь и аналогичная ей электрическая цепь. [1]

Приведенные напряженности и индукции используются в расчетах элементов автоматики.  [2]

3 Коэффициенты диффузионных потерь зарядов в СО2 и О. а. 1 - СО2, i / Rl8 ма / 2 - NO, i /. 6 8 лш / сл. б. / - СО2, М. 12 - 1016сж - 2. 2 - СО2 ВД 3 - 10шсл - 2. 3 - МО, ад12 - 1016сж - 2. 4 - N0. [3]

Возрастание приведенной напряженности поля с изменением условий разряда, указывающее на затруднение горения разряда, может быть связано с затруднением ионизации из-за изменения химического состава газа, ускорением гибели электронов ( в объеме или на поверхности) или с деформацией электронной функции распределения, уменьшающей эффективность ионизации. Проведенные нами измерения показали, что отношение концентрации СО и СО2 в плазме мало меняется с током разряда и давлением, поэтому изменение химического состава газовой атмосферы не может объяснить наблюдаемых эффектов.  [4]

Чем больше скорость инжектируемых электронов, тем при меньших величинах приведенной напряженности А начинается захват.  [5]

Как видно из (3.26), средняя энергия электрона в разряде определяется не только характеристиками газа, отражаемыми газокинетическими сечениями ( через tai), сечениями неупругих потерь ( через б), его массой, но и величинами электрического поля и концентрацией нейтральных частиц, входящими в виде соотношения Е / па, называемого приведенной напряженностью электрического поля, и для изменения величины Ue необходимо менять величину параметра Е / па.  [6]

7 Напряженность поля в плазме разряда СО2 и NO. а. 1 - СО2, ( / 5 45 ма / 2 - NOi / R 0 76 ма / б. 1 - СО2, М. 3 - 1016 см-2. 2 - NO. [7]

В положительном столбе тлеющего разряда в СОа и NO экспериментально с помощью общепринятых методов измерялись напряженность продольного поля Е, в / см, скорость диффузионных потерь зарядов на стенку трубки Гдиф, см-3 - сек-1 и температура газа в зоне плазмы. По измеренным величинам были рассчитаны приведенная напряженность поля в плазме E / N, в-см 2 ( N - концентрация молекул) и приведенный таунсендовский коэффициент диффузионных потерь зарядов ад / Лг.  [8]

9 Зависимость концентрации ng и электронной температуры Tg от времени в послесвечении гелиевой криогенной плазмы при Т 4 2К и. [9]

В, заметно воздействуя на ф-цию рас -, пределения электронов по скоростям. Этим объясняется, в частности, резкое снижение приведенной напряженности электрич.  [10]

Полученное выражение представляет собой приведенную к размерам сердечника кривую намагничивания материала данной магнитной цепи. При изменениях размеров последней изменяется и форма приведенной кривой намагничивания. Приведенная кривая сдвинута в сторону больших значений напряженности поля по сравнению с кривой намагничивания материала. Введя понятие приведенной напряженности поля, магнитную цепь с переменным сечением заменяют однородной магнитной цепью, имеющей размеры сердечника. После этого расчеты производятся точно так же, как для однородной цепи, но вместо кривой намагничивания материала используют приведенную кривую.  [11]

Полученное выражение представляет собой приведенную к размерам сердечника кривую намагничивания материала данной магнитной цепи. При изменениях размеров последней изменяется и форма приведенной кривой намагничивания. Приведенная кривая сдвинута в сторону больших значений напряженности поля по сравнению с кривой намагничивания материала. Введя понятие приведенной напряженности поля, магнитную цепь с переменным сечением заменяют однородной магнитной цепью, имеющей размеры сердечника. После этого расчеты производятся точно так же, как для однородной цепи, но вместо кривой намагничивания материала используют приведенную кривую. Эта зависимость аналогична приведенной кривой намагничивания, но включает имеющийся воздушный зазор. Характер ее изменяется при изменениях параметров цепи, в частности при изменениях зазора.  [12]



Страницы:      1