Нарастание - свечение
Cтраница 1
 |
Зависимость коэффициента вторичной эмиссии люминесцентного экрана от энергии первичных электронов. [1] |
Нарастание свечения, или разгорание экрана, после начала его бомбардировки электронами происходит не мгновенно. В начале затухания резко уменьшается яркость свечения, а затем она медленно спадает. Временем послесвечения экрана считают интервал времени между моментом прекращения электронной бомбардировки и моментом, когда яркость свечения уменьшится до 1 % начального значения. [2]
Нарастание свечения каждого из слоев идет по экспоненциальному закону (2.33), однако показатели экспонент неодинаковы: в верхних слоях показатель ( Ах /) t zz fi It, в нижних он приближается к величине at, поэтому суммарное свечение вещества нарастает по сложному закону, соответствующему сумме многих экспонент. Однако через определенный промежуток времени, во всяком случае меньший, чем 5 - 7т, устанавливается стационарный режим свечения. [3]
 |
Изотермы изменения яркости свечения Zn и Мп в ZnS-Mn ( Ю-3 г / г - фосфоре. [4] |
Нелинейность нарастания свечения цинка в области, где идет развитие свечения марганца, вполне заметна. [5]
Имеются также случаи нелинейности нарастания свечения в функции интенсивности возбуждения, вызванные изменением действия тушащих факторов при изменении интенсивности возбуждения. Подробнее механизм этих явлений рассматривается ниже в связи с описанием свойств ZnS Мп-фосфоров. [6]
Все кривые стремятся к одному пределу, но скорость нарастания свечения различна. Каждая из кривых может быть получена из другой путем соответствующего сжатия или расширения абсцисс последней. [8]
Приведенная осциллограмма показывает, что описанный осциллографи-ческий метод позволяет изучать процессы затухания и нарастания свечения лишь качественно. В самом деле, при визуальном исследовании затухания свечения обычно удается наблюдать изменение свечения в сотни раз, а иногда и в десятки тысяч раз; большой диапазон измерений крайне существен для анализа кривых затухания, так как ход затухания на разных его стадиях нередко подчиняется различным закономерностям. На осциллограммах можно проследить ослабление свечения лишь в небольшое число раз, и далекие стадии затухания обычно совершенно выпадают из анализа. Их прием особенно пригоден для исследования процессов, затухающих и нарастающих по экспоненте; он позволяет точно и быстро, в течение нескольких минут, определять среднюю продолжительность простого экспоненциального процесса или устанавливать существование отступлений от него. Вследствие этого или далекие стадии затухания налагаются на начальные стадии возбуждения, образуя сильный фон ( рис. 27, б), или начальные стадии столь сильно сжимаются, что их нельзя количественно анализировать. Последний освещается лампой накаливания L2, свет которой прерывается с помощью диска D2 с той же частотой и фазой, как и свет, возбуждающий люминесценцию. [9]
 |
При слабых возбуждениях уровни.| Уровни вспышки. [10] |
С другой стороны, при продолжительном возбуждении фосфоресценция, достигнув стационарного значения, дальше не растет; отношение световых сумм вспышкой Sa и фосфоресценции становится больше, чем в прежнем случае и в тем большее число раз, чем продолжительнее нарастание свечения и чем слабее возбуждение. [11]
Третий тип кривых свечения фосфоров изображен на рис. ISO. Здесь вначале происходит крайне быстрый, практически мгновенный процесс нарастания свечения, после чего дальнейший подъем яркости свечения при продолжающемся возбуждении идет медленно. По прекращении возбуждег ния также сначала происходит скачкообразное падение яркости свечения, за которым следует медленный и плавный процесс затухания. Этот тип кривых свидетельствует о наличии у фосфора двух мало связанных друг с другом процессов свечения: очень кратковременного и длительного. [13]
Переходя к рассмотрению свечения толстых слоев, мы должны принять во внимание, что здесь на различных глубинах возбуждение неодинаково: верхние слои возбуждаются интенсивно, глубокие - слабо. При очень слабом возбуждении или очень быстром затухании [ случай, соответствующий, формуле (2.35) ] скорость нарастания свечения не зависит от интенсивности возбуждения ( рис. 61) и будет одинакова на всех глубинах толстого слоя, поэтому разгорание люминесценции в толстом слое в этом случае ничем не будет отличаться от разгорапия люминесценции бесконечно тонкого слоя. У дипольных излучателей, для которых характерна большая скорость затухания, стационарный режим устанавливается, вообще, столь быстро ( 10 - 8 - 10 - 9 сек. [14]
Резкое падение интенсивности свечения в смесях с избытком кислорода при отсутствии заметного влияния [ О2 ] на кривую изменения давления можно объяснить тем, что кислород потребляется не полностью, а избыток кислорода тушит люминесценцию. Аналогичный эффект обнаруживается в опытах со смесями, содержащими избыток альдегида, когда кислород добавляется в идущую реакцию на участке нарастания свечения в области первого максимума. Если суммарное количество кислорода ( сумма начального и добавленного количеств) выше, чем количество альдегида, то после введения добавки свечение резко падает почти до нуля, затем медленно возрастает, но остается в несколько раз меньшим, чем было бы в опыте без добавки кислорода. Первый максимум свечения исчезает. Это подтверждает сделанный выше вывод о том, что избыток кислорода тушит свечение. [15]
Страницы: 1 2