Cтраница 1
![]() |
Принцип действия синхронного двигателя. [1] |
Нарушение компенсации приводит к возрастанию тока в якоре, увеличению магнитного потока, а значит, и к возникновению момента силы, действующей на индуктор. [2]
Нарушение компенсации; чаще всего говорят о сердечной декомпенсации, когда сердце не справляется с задачей поддержания нормального кровообращения. [3]
Нарушение компенсации; чаще всего говорят о сердечной декомпенсации, когда сердце не справляется с задачей поддержания, нормального кровообращения. [4]
Нарушение компенсации; чаще всего говорят о сердечной декомпенсации, когда сердце не справляется с задачей поддержания нормального кровообращения. [5]
Нарушение компенсации; чаще всего говорят о сердечной декомпенсации, когда сердце не справляется с задачей поддержания нормального кровеобращения. [6]
Нарушение компенсации; чаще всего говорят о сердечной декомпенсации, когда сердце не справляется с задачей поддержания нормального кровообращения. [7]
Это нарушение компенсации сил тяготения и сил инерции порождает явление приливов на Земле. Явление приливов наиболее отчетливо наблюдается у берегов океана. Дважды в сутки уровень воды у берегов океана более или менее значительно повышается, а затем снова опускается. Причина этого состоит в том, что в двух диаметрально противоположных областях океана на его поверхности образуются два горба, положение которых определяется в первую очередь положением Луны, а отчасти и положением Солнца. [8]
При нарушении компенсации полярограмма искажается. [9]
Магнитоэлектрический нулъ-галъванометр служит индикатором нарушения компенсации; он подвесного типа, заключен в собственный бакелитовый кожух и помещается внутри потенциометра. Застекленная передняя стенка кожуха позволяет видеть шкалу, стрелку и подъем ступенчатого столика. Рамка нуль-гальванометра имеет 185 витков; диаметр проволоки 0 12 мм. [10]
![]() |
Образование обедненного ( а, инверсного ( б и обогащенного ( в слоев в полупроводнике вблизи металлургического контакта с металлом при работе выхода в металле меньше, чем в полупроводнике. [11] |
В обедненных слоях пространственный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление приконтактной области полупроводника по сравнению с сопротивлением объема полупроводника. [12]
В обедненных слоях объемный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. [13]
В обедненных слоях пространственный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление приконтактной области полупроводника по сравнению с сопротивлением объема полупроводника. [15]