Нарушение - правильность - кристаллическая решетка
Cтраница 1
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника с окисной пленкой. [1] |
Нарушения правильности кристаллической решетки в виде всевозможных микротрещин и механических напряжений также вызывают появление новых энергетических уровней, на которых могут быть связаны электроны. Поверхностные состояния возникают и вследствие адсорбции примесей на поверхности кристалла. Энергетические уровни всех этих поверхностных состояний обычно располагаются значительно выше валентной зоны или ниже зоны проводимости и могут оказаться даже в запрещенной зоне. [2]
Зависимость электросопротивления от наличия примесей, трещин, дефектов, решетки, состава сплава и степени его упорядоченности определяется нарушением правильности кристаллической решетки. При образовании из чистых металлов твердого раствора ( сплава) атомы растворенного вещества внедряются в решетку растворителя, искажая ее и увеличивая электросопротивление. Изменение сопротивления обусловливается также химическим взаимодействием компонентов. В результате химического взаимодействия компонентов изменяется характер межатомной связи ( она становится ковалентной), уменьшается концентрация электронов ( получающееся соединение может даже стать полупроводником) и увеличивается электросопротивление. Величина электросопротивления сплава зависит от степени его упорядоченности. Для упорядоченного сплава сопротивление значительно меньше, чем для неупорядоченного, и, вообще говоря, для полностью упорядоченного сплава так же, как и для чистого металла, должно быть равно нулю при отсутствии тепловых флюктуации. [3]
Адсорбент, как правило, далек от идеального монокристалла: его поверхность содержит участки различной адсорбирующей способности, причем дефекты и нарушения правильности кристаллической решетки или определенные грани микрокристаллов являются местами, наиболее активными в смысле адсорбции и катализа. [4]
Дефекты кристаллической структуры веществ возникают уже в процессе их кристаллизации. Взаимодействие дефектов между собой приводит к образованию новых несовершенств. Нарушение правильности кристаллической решетки изменяет свойства материала. [5]
Идеальный кристалл с правильным расположением атомов упруг. Всякие нарушения правильности кристаллической решетки приводят к появлению поля напряжений, которое с достаточной степенью точности может быть изучено методами теории упругости. В следующих главах, посвященных решению задач теории упругости, основное внимание будет обращено именно на эту сторону, будут приведены некоторые результаты, которые необходимы для понимания современных точек зрения на механику неупругих деформаций и разрушения. [6]
Вентиля допускают кратковременную перегрузку, в несколько раз превышающую номинальную. При этом периодичность такой перегрузки определяется длительностью остывания выпрямительных пластин. Чрезвычайная чувствительность свойств полупроводников к примесям и нарушениям правильности кристаллической решетки затрудняет определение истинных характеристик вещества. Тем не менее для суждения о преимуществах или недостатках тех или иных видов вентилей целесообразно сопоставить их технические характеристики. [7]
Следует отметить, что и по данным эксплуатации аппаратуры, и по результатам испытаний, проводившихся у изготовителей и потребителей ППП, на долю катастрофических отказов приходится только около 20 % общего числа наблюдаемых отказов. Основная же часть отказов ППП связана с постепенным ухудшением ( дрейфом) параметров, вызываемым главным образом изменением состояния поверхности полупроводника. Процессы, происходящие в объеме полупроводникового материала ( диффузия легирующих примесей и металла контактов и перемещение мест нарушений правильности кристаллической решетки), протекают настолько медленно ( за исключением случаев воздействия интенсивной проникающей радиации), что ими практически можно пренебречь при работе в режимах, не превосходящих предельно допустимые по техническим условиям. [8]
Высокая активность на каталитической поверхности локализована в активных центрах [190, 252] однородной открытой поверхности. Активные места, отождествляемые с краями кристаллов и их пограничными линиями [233] и появляющиеся на поверхности при каждой неправильности в росте кристаллов, обладают большей силой притяжения и поэтому большей активностью. Примеси посторонних веществ, так же как и повышенная скорость роста кристаллов, благоприятствуют возникновению этих неправильностей и неоднородно-стей [241], являясь факторами, способствующими повышению активности катализаторов. Как показывают рентгенограммы [107, 166] для смешанных катализаторов, в размерах решетки нет изменения, хотя нарушение правильности кристаллической решетки считается причиной увеличенной активности. [9]
Ионы соосаждающегося элемента внедряются в решетку соосадителя, но располагаются между узлами кристаллической решетки. Такой случай называют образованием твердого раствора внедрения. Так происходит соосаждение ионов меди на осадках некоторых гид-роксидов. Другой вид внедрения при соосаждении обусловлен дефектами кристаллической решетки. Образующиеся при осаждении кристаллические агрегаты, как правило, несовершенны и в них имеются нарушения в виде дислокаций - нарушений правильности кристаллической решетки. Наконец, так как кристаллы образуются из различных центров кристаллизации, их агрегат состоит из различных зерен, разделенных границами. Именно по плоскостям дислокаций, границам зерен происходит внедрение ионов соосаждающегося элемента. Во всех описанных случаях получаются фазы переменного состава. [10]
В неупорядоченном сплаве ( в котором нет дальнего порядка) может присутствовать ближний порядок. Это значит, что замещение атомом данного сорта некоторого узла решетки оказывает влияние на вероятности замещения соседних узлов. Между замещениями различных узлов устанавливается корреляция и распределение атомов по узлам отличается от хаотического, хотя дальний порядок в решетке и отсутствует. В результате около атома некоторого сорта возникает область, обогащенная ( или обедненная) ( какими-либо. Это приводит к появлению концентрационных микронеоднородностей, которые хотя и не отделены одна от другой резкими границами, но тем не менее представляют собой нарушения правильности кристаллической решетки. [11]
Страницы: 1