Нарушение - строение
Cтраница 2
Иначе говоря, следует предположить, что адсорбция молекул в переходном состоянии реакции при отрицательных потенциалах вызывает гораздо меньшее нарушение строения двойного слоя, чем это следовало бы ожидать по данным, полученным на основании измерений дифференциальной емкости. Отсюда можно было бы сделать вывод, что при потенциалах более отрицательных, чем катодный пик десорбции, реагирующие частицы не находятся в адсорбированном состоянии и реакция происходит за счет туннельных переходов на расстояния, превышающие толщину двойного слоя. Правда, имеющийся экспериментальный материал недостаточен для решения этого фундаментального вопроса. [16]
Факторами первого рода могут быть, например, возникновение всестороннего давления, что понижает точку То, а также нарушения строения, затрудняющие образование зародышей критического размера или их рост. [17]
Как уже было отмечено в одном примере, ионы Si4 внутри тетраэдра в некоторых структурах частично могут замещаться на ионы А13 без нарушения строения этих структур. В связи с этим, конечно, с каждым атомом А1 отрицательный заряд, приходящийся на тетраэдр, возрастает на единицу. [18]
В результате пластической деформации или нейтронного облучения, а также в процессе самого превращения возникают и нарушения строения другого типа - т - затрудняющие превращение, например, нарушения на границах областей когерентного рассеяния или другого рода скопления нарушений строения. [19]
Дефекты решетки классифицируют по их протяженности в пространстве, причем в качестве единицы протяженности принимают величину трансляции. Различают: нульмерные, одномерные и двумерные нарушения строения решетки. [20]
Дефекты решетки классифицируют по их протяженности в пространстве, причем в качестве единицы протяженности принимают величину трансляции. Различают: нульмерные, одномерные и двумерные нарушения строения решетки. [21]
Существенный для явлений в полупроводниках факт состоит в том, что нарушение правильного строения кристаллической решетки изменяет расположение энергетических уровней, возможных для электронов. Особенно существенную роль играют нарушения строения кристаллической решетки при наличии в ней посторонних, или избыточных, атомов. [23]
Существенный для явлений, имеющих место в полупроводниках, факт состоит в том, что всякое нарушение правильного строения кристаллической решетки ослабляет сйязь валентных электронов с элементами этой решетки и изменяет расположение энергетических уровней, возможных для электронов. Особенно существенную роль играют нарушения строения кристаллической решетки, имеющие место при наличии в ней посторонних или избыточных атомов. [24]
При низких температурах для появления пробоя необходимы сильные поля, так как имеется мало свободных электронов, способных вызвать появление лавины. При наличии дипольных молекул или нарушений строения решетки, снижающих среднюю длину свободного пути электронов, может произойти дополнительное возрастание поля, требуемого для пробоя. [25]
Как было выяснено, электронные переходы, вызывающие испускание света, а также аккумуляцию ( запасание) энергии возбуждения и внешнее тушение или, в общем случае, миграционные потери, происходят в особых субмикроскопических образованиях, связанных с дефектами кристаллической решетки. В широком смысле слова к дефектам относят всякие нарушения периодического строения кристалла, включая свободные ( делокализованные) электроны и дырки, а также фононы. [26]
Красовский и др. обнаружили нарушение репродуктивной функции на уровне 0 1 мг / кг. Введение крысам во время беременности 0 0001 мг / кг вызывает нарушения строения печени и содержания РНК и ДНК во внутренних органах крысят. [27]
Воздействие радиоактивных излучений на сплавы вызывает образование вакансий к внедренных атомов, что должно привести к увеличению коэффициента диффузии. Однако при высоких температурах происходит быстрое устранение ( залечивание) этих нарушений строения, а при низких - возникают трудности с измерением коэффициента диффузии. [28]
Как известно, вопрос об дефектах строения и их ответственности за различные физические свойства кристаллов является предметом оживленных дискуссий. Однако следующие положения можно считать бесспорными: существует много причин, вызывающих нарушение идеального строения решетки и соответственно много видов ошибок ее строения. [29]
 |
Кривые текучести металлов и сплавов при различных темпе-ратурно-скоростных условиях деформации. [30] |
Страницы: 1 2 3 4