Нарушение - структура - поверхность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда-то я был молод и красив, теперь - только красив. Законы Мерфи (еще...)

Нарушение - структура - поверхность

Cтраница 1


1 Модель образования электризованной микротрещины на поверхности оксидированного алюминия. [1]

Нарушение структуры поверхности проявляется в разных формах при механическом взаимодействии двух твердых тел. Микротрещины, образующиеся на защищенных пленками поверхностях, приобретают электрические заряды.  [2]

Нежелательные эффекты нарушения структуры поверхности можно устранить, выбирая оптимальные условия бомбардировки ( минимальное значение энергии ионов) и проводя последующий вакуумный отжиг, который всегда очень важен. На практике может потребоваться многократное повторение цикла бомбардировка-отжиг. При бомбардировке сплава его поверхность становится однородной, но состав поверхности может отличаться от состава в объеме.  [3]

Наибольшая активность без нарушения структуры поверхности достигается полным удалением адсорбированной воды при 300 - 400 С.  [4]

Следует отметить, что в рассматриваемом случае не происходит нарушения структуры поверхности объекта в деформированной области, что обеспечивает сохранение условия корреляции соответствующих спекл-структур ( до и после деформации) и, следовательно, образования спекл-интерферо-граммы. Если же в промежутке времени между последовательными экспозициями структура поверхности нарушается, то в результате пространственной фильтрации в минимуме интерферограммы поступательного смещения часть объекта с нарушенной структурой наблюдается в виде светлой области на темном поле без модуляции интерференционными полосами.  [5]

Продувку и испытание на плотность рекомендуется сопровождать обстукиванием молотком весом 0 5 - 1 кг из материала, не вызывающего нарушения структуры поверхности трубы. Результаты испытания трубных проводок на прочность и плотность заносятся в протокол.  [6]

Изменить активность окиси алюминия можно, добавляя или удаляя из нее воду, при этом контроль осуществляется либо весовым методом, либо путем хроматографирования на полученном сорбенте стандартных веществ. Наибольшая активность без нарушения структуры поверхности достигается полным удалением адсорбированной воды при 300 - 400 С.  [7]

Очистка бомбардировкой ионами, естественно, предполагает удаление вещества с поверхности образца. При этом обычно наблюдается нарушение структуры поверхности, связанное как с внедрением атомов инертного газа в поверхностный слой, так и с изменением структуры поверхности образца.  [8]

Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность поликристаллического образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней ( фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на поверхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца.  [9]

Сопротивление разрушенного поверхностного слоя изменяется с температурой, как показано на фиг. Конечно, абсолютная величина сопротивления зависит от деталей обработки, примененной для нарушения структуры поверхности. На графике ясно видны три четкие области.  [10]

Относительно недавно Гилман [81] и Уэствуд и Хитч [82] применили метод расщепления к большому числу разнообразных кристаллов. Авторы отмечают, что полученные ими данные лучше всего согласуются с результатами оценки поверхностной энергии по очень простой теории Борна и Штерна, предложенной в 1919 г., в которой учитываются только кулоновские члены и взаимное отталкивание жестких сфер. Уэствуд и Хитч считают, что, поскольку эксперименты по расщеплению не полностью обратимы, реально они характеризуют энергию разрыва связей или вклад в поверхностную энергию только взаимодействия ближайших соседей без учета нарушения структуры поверхности. В частности, величина, полученная для хлорида натрия, настолько мала, что возникает вопрос, не переоценивается ли в современной довольно сложной теории вклад вандерваальсового взаимодействия.  [11]

При изучении анизотропии адсорбции [73] и окисления [106] на различных поверхностях монокристалла меди наиболее эффективным оказался описанный выше геттер-ный метод. Следует отметить, что хотя трудно создать и сохранить чистые поверхности металлов из-за их высокой реакционной способности, но по этой же самой причине существование таких поверхностей может быть очень быстро установлено. Так, практически мгновенное и необратимое образование при низких температурах стабильного монослоя окиси на поверхностях различных металлов, приготовленных особыми методами, как, например, длительным восстановлением в водороде высокой чистоты, напылением или термическим полированием, дает основание сделать вывод, что данная поверхность в ходе ее охлаждения до температуры адсорбции не загрязнялась хемосорбированными слоями или пленкой, образованной продуктами реакции. Воспроизводимость адсорбционных эффектов, свойственных только поверхности с данной кристаллографической структурой, также является показателем того, что эта поверхность сохранялась неповрежденной до температуры, при которой происходила адсорбция. В отдельных случаях это, конечно, не исключает возможности систематических нарушений структуры поверхности.  [12]

Углы падения светового луча выбирают таким образом, чтобы один из них был меньше, а другой - больше угла минимального отражения. Желательно выполнить измерения еще при третьем значении угла падения, лежащем между предыдущими двумя. Это дает возможность усреднить полученные результаты для пгз и k2 и судить о точности эксперимента. Вычисление пг2 и Й2 производят с помощью номограмм Звери, по специальным таблицам или способом пepecekaющиxcя окружностей. Так как отражение от диэлектрика происходит в тонком поверхностном слое, составляющем малую часть длины волны ( Я / 50), то при выполнении таких измерений большую роль играет состояние поверхности. Поверхностный слой образца не должен содержать оксидных или других пленок, а также нарушений структуры поверхности, вызванных ее механической обработкой. Напротив, сильное влияние состояния поверхности образца иа отражение создает условия эффективного изучения н контроля состояния поверхности и процессов, протекающих на ней.  [13]

Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность поликристаллического образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней ( фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на поверхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца.  [14]

Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность поликристаллического образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней ( фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на поверхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца.  [15]



Страницы:      1    2