Cтраница 1
Населенности уровней, входящие в (19.17), зависят и от интенсивности накачки uml и от плотности генерируемого излучения ui в резонаторе. [1]
Населенности уровней 4 и 2 оказываются пренебрежимо малыми. [2]
Зная населенности уровней ( их зависимости от времени, интенсивности возбуждения, неоптических процессов, параметров самой частицы), можно рассчитать все обычно наблюдаемые на опыте оптические характеристики вещества. [3]
Поэтому населенность уровней 3 может уменьшаться в ос-новном из-за релаксационных переходов, вызванных взаимодействием с кристаллической решеткой. При этом избыток энергии переходит в тепловую энергию кристаллической решетки. [4]
Разность населенностей уровней уменьшается с увеличением интенсивности электромагнитной волны и в пределе достигает нуля по мере приближения / к бесконечности. Такое явление называется насыщением. [5]
Увеличение населенности уровней 2S и 3S создает условия генерирования колебаний в нескольких частотных диапазонах. Положительные результаты получены в диапазонах 0 63, 1 15 и 3 39 мк. [6]
Инверсия населенностей уровней достигается либо путем отбора из данного числа молекул только тех, к-рые находятся в верхнем энергетич. В 1 - м способе работа происходит по двухуровневой схеме, в к-рой участвуют только переходы между двумя уровнями; непрерывная работа по такой схеме возможна лишь при использовании молекулярных ( атомных) пучков. Поэтому большее распространение получили устройства, работающие по схеме 3 уровнен ( рис.), характерной для 2-го варианта. [7]
Инверсия населенностей уровней достигается либо путем отбора из данного числа молекул только тех, к-рые находятся в верхнем энергетич. В 1 - м способе работа происходит по двухуровневой схеме, в к-рой участвуют только переходы между двумя уровнями; непрерывная работа по такой схеме возможна лишь при использовании молекулярных ( атомных) пучков. [8]
Инверсия населенностей уровней в этих пучках достигается при помощи специальных сортирующих систем ( электрических или магнитных), оставляющих в пучке преимущественно те молекулы ( или атомы), которые находятся на высшем энергетическом уровне. После выхода пучка из сортирующей системы в нем преобладают молекулы ( или атомы), находящиеся на высшем энергетическом уровне. Попадая в объемный резонатор, настроенный на частоту, очень близкую к частоте квантов, соответствующих переходу молекул ( или атомов) с высшего на низший уровень, под действием поля объемного резонатора молекулы ( или атомы) будут излучать кванты, увеличивающие энергию колебаний в объемном резонаторе. Если энергия излученных квантов превышает все потери в объемном резонаторе, то колебания будут нарастать до того момента, когда потери энергии в объемном резонаторе достигнут величины энергии, отдаваемой всеми излучаемыми квантами объемному резонатору. Такое положение наступает потому, что в сильном поле электромагнитной волны, вызывающей индуцированное излучение, суммарная энергия излучаемых квантов растет медленнее, чем напряженность поля волны. Поэтому потери энергии в объемном резонаторе в конце концов достигают величины энергии, отдаваемой всеми излучаемыми квантами, после чего в объемном резонаторе устанавливаются колебания с постоянной амплитудой - автоколебания. В К - г. на молекулярных и атомных пучках для инверсии уровней населенности применяются также методы оптической накачки. В этом случае роль вспомогательного излучения играет мощное оптическое излучение, но частоты квантов индуцированного излучения лежат в раднодиаиазоне. [9]
Рассмотрим зависимость населенностей уровней от плотности излучения накачки и вероятностей переходов. [10]
Такое изменение населенностей уровней означает изменение показателя усиления х, который сначала ( до самовозбуждения) имеет максимальную величину, соответствующую исходной разности населенностей верхнего и нижнего уровней, а потом по мере насыщения перехода уменьшается. [11]
Инверсное состояние населенностей уровней не удовлетворяет распределению Больцмана и потому неустойчиво. [12]
При наличии неодинаковой населенности уровней i и k, между которыми происходит переход, возникает поглощение веществом электромагнитной энергии. [13]
Уровни энергии РП в синглетном состоянии пары. Стрелками показаны переходы, отвечающие поглощению ( А и эмиссии ( Е. Прямоугольниками условно обозначены населенности уровней. [14] |
Согласно этим населенностям уровней энергии, можно ожидать спектр ЭПР, состоящий из четырех линий, две линии поглощения ( А) и две линии излучения ( Е) с одинаковыми по величине интенсивностями. [15]