Молекулярное наслаивание

Cтраница 4

Реакции 1а, 2, За являются основными при осуществлении нового класса реакций синтеза твердых веществ - реакций молекулярного наслаивания. [46]

Синтез на поверхности элемент-кислородных слоев, рассмотренный в работах 5.1 и 5.2, основывался на гидроксилхлорид-ном цикле реакций молекулярного наслаивания. Получение углерода - простого вещества - на поверхности оксида кремния связано с проведением метилхлоридного цикла реакций, в результате которых в синтезируемом слое образуются углерод-углеродные связи. Поэтому на поверхности оксидной матрицы необходимо изменить химический состав функциональных групп - заместить гидроксилыше группы, например, на ме-тильные. [47]

В данной работе с помощью спектров МНПВО изучаются оксидные сверхтонкие ( d10 нм) слои кремния, синтезированные методом молекулярного наслаивания. [48]

Исходя из современных представлений о глобулярном строении силикагсля ( см. работу 2.1) рассчитывают изменение его пористой структуры по мере молекулярного наслаивания фосфоркислородных слоев. Если силикагсль имеет удельную поверхность So, а удельный объем пор Vn, то средний диаметр глобул do - G / bSo, где 6 2 2 г / см3 - плотность кремнекислородного скелета глобул. [49]

Помещают образцы внутрь реактора установки вакуумного синтеза и по методике, изложенной в работе 5.5, осуществляют 10 циклов реакций молекулярного наслаивания. [50]

Определяют положение максимума и интенсивность полосы, обусловленной антисимметричными валентными колебаниями Si-О в области 1000 - 1100 см-1, в зависимости от числа циклов реакций молекулярного наслаивания. Идентифицируют синтезированный окоид, принимая во внимание, что положение максимума полосы и ее полуширина чувствительны к составу, структуре и плотности исследуемого вещества. [51]

Схема установки для измерения вольтамперной характеристики контакта металл - полупроводник. [52]

Объектами исследования служат структуры кремний ( п-ти па) - алюминий, содержащие прослойки оксида хрома толщиной 4, 5, 6, 7 им, полученные методом молекулярного наслаивания по методике, аналогичной приведенной в работе 5.5. Алюминиевый электрод нанесен вакуумным напылением. [53]

Исследование структуры полученных сверхтонких слоев различной химической природы, а также их некоторых свойств позволило установить тот принципиально важный факт, что сплошной равномерный слой твердогб вещества, синтезированный методом молекулярного наслаивания при / толщине в 4 - 6 монослоев структурных единиц, когда становится возможным образование кристаллических ячеек ( рис. 62), образует поверхность, по свойствам соответствующую поверхности массивного твердого вещества данного состава. [54]

Страницы: 1 2 3 4