Насыщение - зависимость
Cтраница 1
Насыщение зависимости для отжига этого уровня происходит при плотности тока 1 А см-2 и характеризуется равенством скорости захвата дырок и электронов. При параметрах рекомбинации центра Ес 0 17 эВ и электрофизических характеристиках использованного кремния насыщение зависимости Еа должно было бы наблюдаться уже при плотности тока - 1 А - см 2, так как уровень. Ес 0 17 эВ в этих условиях практически полностью отжигается. Поэтому был сделан вывод о том, что ускорение миграции междоузельного алюминия связано с зарядовым состоянием Al J / Al, кото рое не обнаружено при измерениях методом емкостной спектроскопии. [1]
Наличие или отсутствие насыщения зависимости D ( m ] при увеличении m рассматривается как критерий того, генерируется ли сигнал динамической системой или же он является шумовым. Если наблюдается насыщение на некотором уровне D, то эту величину D принимаем в качестве оценки корреляционной размерности аттрактора динамической системы, породившей наблюдаемый сигнал. [3]
Однако имеются системы, для которых насыщение зависимости химического сдвига от концентрации происходит при достаточно высоких концентрациях, где точность измерения сравнительно высока. [4]
В соответствии с (6.43) и (6.44) предсказывается насыщение зависимостей С / Сд ( Ysi) и G ( YSL) при фиксированной интенсивности света в области инверсионных изгибов зон, если G const. [5]
По уравнению ( б), а также найденной по кривой насыщения зависимости XKf ( tK) на диаграмме ( см. рис. 1) достроена группа кривых Xwconstf ( tK) постоянной степени конденсации антрахинона. [6]
Анализ краевой задачи (16.12), а также численные результаты показывают, что при достаточно малых числах Прандтля происходит насыщение зависимости Сг ( Яа) - влияние числа Прандтля исчезает. [7]
Насыщение зависимости для отжига этого уровня происходит при плотности тока 1 А см-2 и характеризуется равенством скорости захвата дырок и электронов. При параметрах рекомбинации центра Ес 0 17 эВ и электрофизических характеристиках использованного кремния насыщение зависимости Еа должно было бы наблюдаться уже при плотности тока - 1 А - см 2, так как уровень. Ес 0 17 эВ в этих условиях практически полностью отжигается. Поэтому был сделан вывод о том, что ускорение миграции междоузельного алюминия связано с зарядовым состоянием Al J / Al, кото рое не обнаружено при измерениях методом емкостной спектроскопии. [8]
При переходе от фенола к о-крезолу, 2 6-диметилфенолу, 2 6-диизопропил-фенолу и 2 6-ди-трет - бутилфенолу изменяются начальное значение химического сдвига, характер зависимости от концентрации и вели -: чина сдвига от водородной связи. По мере увеличения объема групп, находящихся в орто-положениях, повышается значение концентрации, при которой происходит насыщение зависимости. Сопоставление экспериментальных кривых для 2 6-диметилфенола и 2 6-ди-трет - бутилфенола с теоретическими по методу Саундерса - Хюна [625] показало, что для ди-орто-алкилфенолов преобладает тетрамерная ассоциация, а димерная, если и существует, то в незначительной степени. [9]
При сжатии сыпучих материалов их проводимость увеличивается вначале достаточно резко; с повышением давления рост проводимости замедляется и, начиная с некоторой величины давления, изменения давления почти не влияют на величину сопротивления. Для уменьшения влияния колебаний степени уплотнения на результаты измерений приходится применять достаточно высокие давления, со -; ответствующие области насыщения зависимости удельного - сопротивления от плотности материала. В этом заключается основной недостаток датчиков с уплотнением: большие усилия деформируют образец и в ряде случаев ( например, при измерении влажности зерна) частично его разрушают. Вместо материала в естественном его состоянии объектом измерения становится искусственно спрессованный брикет из этого материала. При прессовании образцов высокой влажности возможен частичный отжим влаги с ее выделением на электродах. Кроме того, большие усилия приводят к повышенному износу датчика. Деформация или разрушение образца материала при измерении влажности исключают возможность повторного измерения, что также является эксплуатационным недостатком. [10]
Меньший разброс удельного сопротивления и более низкоомный кремний способствуют тому, что напряжение пробоя первых микроплазм, по которым происходит разрушение прибора, мало отличается от напряжений пробоя основной массы микроплазм. Анализ полученных в [72] зависимостей показывает, что при использовании однородного, с меньшим разбросом и низкоомного кремния увеличение площади приводит к более эффективному увеличению устойчивости к перенапряжениям и участок насыщения зависимости тока перегрузки от площади наступает при больших значениях тока и площади. Эти зависимости позволяют выбрать предельную величину площади р - n - перехода, которую еще целесообразно использовать в конструкциях лавинных диодов. [11]
Например, повышение температуры ведет к увеличению потока уходящей тепловой радиации в космическое пространство вследствие чего рост температуры может прекратиться. Или рост влагозапасов способствует насыщению альбедной зависимости ( в самом деле, при любом варианте развития событий альбедо суши не может быть меньшим, чем альбедо океана), и далее эффект уменьшения альбедо перестает действовать. [12]
 |
Распределение давления газа в воздушной подушке в зависимости от скорости ленты ( / и предварительного натяжения при скорости ленты 30 м / с ( 2. [13] |
Дальнейшее увеличение натяжения более 50 Н / см практически не влияет на давление в воздушной подушке. Изменение давления по зависимости кривой 2 авторы этой работы объясняют изменениями жесткости ленты. Для лент высокой жесткости момент насыщения зависимости p l ( q) может наступить при натяжениях меньше 50 Н / см, Для абразивных лент, склонных к изменению жесткости в процессе шлифования, следует при разработке технологических процессов учитывать возможное повышение давления в воздушной подушке. [14]
По мере облучения может происходить повторное смещение уже дефектных атомов решетки. Это случается в момент перекрытия зон смещения. Такого рода процессы, называемые радиационным отжигом, приводят к насыщению зависимости концентрации дефектов от дозы облучения. [15]
Страницы: 1 2