Насыщение - магнитопровод
Cтраница 1
Насыщение магнитопровода является причиной возникновения ряда дополнительных гармоник магнитной индукции, которые в свою очередь могут принять участие в образовании дополнительных вибровозму-щающих сил. С достаточной для практических целей точностью насыщение при вибрационных расчетах учитывается третьей гармоникой индукции. [1]
Насыщение магнитопровода является причиной возникновения дополнительных гармоник магнитной индукции, которые, в свою очередь, могут участвовать в образовании дополнительных вибровозмущающих сил. Обобщая изложенное, можно сказать, что вибровозмущающие силы включают гармоники основного поля; высшие гармоники статора, имеющие число пар полюсов и временную частоту гармоник магнитодвижущих сил статора; высшие гармоники, обусловленные зубцами статора; обмоточные и зубцовые высшие гармоники ротора; высшие гармоники за счет эксцентриситета ротора-относительно статора; высшие гармоники, вызванные насыщением. [2]
 |
Пусковые характеристики при насыщенной ( а и ненасыщенной ( б цепи двигателя. [3] |
Хотя повышенное насыщение магнитопровода дает уменьшение веса двигателя, но к этому нельзя прибегать еще и потому, что оно ведет к значительному увеличению числа витков обмотки возбуждения и, следовательно, добавочным потерям мощности. Обстоятельство это играет большую роль при проектировании тепловозных тяговых двигателей. [4]
 |
Схема включения обмоток магнитного усилителя. [5] |
До насыщения магнитопровода пик-дросселя индуктивность его велика и почти все напряжение вторичной обмотки ТРС прикладывается к катушке пик-дросселя. При насыщении индуктивность пик-дросселя резко снижается, отчего на сопротивлении 1СС возникает импульс напряжения с крутым фронтом; это напряжение используется в качестве отпирающего. Сопротивление 2СС и выпрямитель 1ВС предназначены для срезания отрицательного пика. Сопротивление ЗСС служит для ограничения сеточного тока. [6]
 |
Графики, иллюстрирующие трансформацию апериодической составляющей пергичного тока ( а, и графики апериодической составляющей тока намагничивания ( 6. [7] |
Следствием насыщения магнитопровода является искажение мгновенного вторичного тока. На рис. 2.16, а, б приведены кривые мгновенных токов и магнитной индукции, характеризующие соотношения передачи первичного тока с полностью смещенной кривой тока ( за счет апериодической составляющей) для случаев отсутствия и наличия насыщения магнитопровода соответственно. [8]
Следствием насыщения магнитопровода является искажение мгновенного вторичного тока. На рис. 2.16, а б приведены кривые мгновенных токов и магнитной индукции, характеризующие соотношения передачи первичного тока с полностью смещенной кривой тока ( за счет апериодической составляющей) для случаев отсутствия и наличия насыщения магнитопровода соответственно. [9]
 |
ТТ для работы в переходном режиме.| Изменение индукции В и вторичной ЭДС е2 во времени при разомкнутой вторичной обмотке. [10] |
При насыщении магнитопровода в нем резко возрастают активные потери, за счет которых температура изоляции может существенно превысить допустимые значения. [11]
При насыщении магнитопровода развивается регенеративный процесс и транзистор VT3 закрывается. [12]
 |
Электромагниты и графики изменения вдоль длины их магнитопровода разности магнитных потенциалов и магнитного потока при н. с. а - сосредоточенной. б - распределенной вдоль сердечника. [13] |
При насыщении магнитопровода изменение б и 00 выражается кривой линией. [14]
При насыщении магнитопровода трансформатора его магнитная проницаемость резко уменьшается, вызывая увеличение тока намагничивания и изменение направления магнитного потока. Вследствие этого наведенные во всех обмотках трансформатора напряжения уменьшаются до нуля, а затем изменяют свою полярность. Теперь на базу ранее открытого транзистора 1 подается положительное напряжение и он начинает закрываться, а на базу ранее закрытого транзистора Т2 поступает отрицательное напряжение и он начинает открываться. Этот регенеративный процесс формирования фронта выходного напряжения протекает очень быстро и заканчивается тем, что транзистор Т полиостью закрывается, а транзистор TI - полностью открывается. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5