Насыщение - дрейфовая скорость
Cтраница 1
Насыщение дрейфовой скорости приводит к тому, что крутизна [ см. формулу (5.3) 1 при дальнейшем повышении напряжения на затворе почти постоянна, а на стоко-затворной характеристике ( см. кривую 1 на рис. 5.2) появляется линейный участок. [1]
Эффект насыщения дрейфовой скорости оказывает влияние на статические характеристики МОП-транзистора. [2]
 |
С. ема ЛПД типа /, п-г. распределение напряженности. [3] |
Происходит так называемое насыщение дрейфовой скорости носителей. Следовательно, носители заряда дрейфуют с конечной скоростью за конечный промежуток времени. [4]
ВАХ нелинейна ( рис. 6.5), что обусловлено эффектом насыщения Дрейфовой скорости электронов. Например, при Ксл 200 Ом / П, R 1 кОм, Ъ 1 мкм, а 5 мкм нелинейность возникает для U 1 5 В. [5]
Сплошная линия соответствует характеристике с учетом зависимости подвижности от поля и эффекта насыщения дрейфовой скорости. Характеристика квадратична только при напряжении С / 3и вблизи порогового, равного - 2 В. Штриховой линией показана характеристика без учета зависимости подвижности от поля. [6]
 |
Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника под затвором при напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения. [7] |
Сублинейный характер зависимостей / с / ( ( 7си) вызван также эффектом насыщения дрейфовой скорости носителей заряда или уменьшением их подвижности в сильных полях, как и в полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом. [8]
Распределение электрического поля в структуре должно быть таким, чтобы напряженность поля везде была выше напряженности Е, при которой наступает насыщение дрейфовой скорости носителей. Протекание тока череа структуру вызывает изменение электрического поля. [9]
 |
Схема ЛПД типа p - n - i - n. [10] |
В остальной части запирающего слоя напряженность поля ниже критической, при которой происходит ионизация атомов решетки, но несколько выше значения, при котором наступает насыщение дрейфовой скорости. Время дрейфа дырок в / - область очень мало, а электронов в гс - область через п-и i-слой значительно больше. Время движения электронов через область собственной электропроводности будет определять диапазон частот, в котором фазовый сдвиг между напряжением и током равен 180 и прибор имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. [11]
Если плотность тока электронного луча настолько высока, что пространственный заряд дрейфующих носителей создает в некоторой области / - слоя электрическое поле, при котором наступает насыщение дрейфовой скорости носителей, то применять приведенные формулы нельзя. [12]
Время пролета через обедненный носителями слой в отсутствие насыщения дрейфовой скорости также равно постоянной времени RC полупроводника до образования этого слоя. Это следует из того, что для получения обеднения или, напротив, удвоения концентрации носителей в данном объеме требуется одинаковое по величине электрическое поле. [13]
Средняя напряженность электрического поля в этой области достигает 50 кВ / см. При этом подвижность уже не остается постоянной, поскольку происходит насыщение дрейфовой скорости носителей. Ниже рассмотрены основные явления в полупроводниках, возникающие в сильных электрических полях. [14]
В активном режиме работы транзистора при больших токах могут измениться условия на коллекторном переходе. Это связано ( см. § 1.10) с насыщением дрейфовой скорости движения носителей. Такое явление влечет за собой перераспределение носителей в базе. Если для бездрейфовых транзисторов из-за значительного градиента концентрации носителей во всей базе и обычно не очень больших плотностей токов влиянием такого перераспределения можно пренебречь, то для дрейфовых транзисторов оно может быть существенным. [15]
Страницы: 1 2