Глубокое насыщение

Cтраница 1

Глубокое насыщение ТТ со стальным средечником может возникать и при небольших кратностях токов и значениях нагрузок при наличии в первичном токе к. [1]

Глубокое насыщение ароматических углеводородов следует проводить на более активных катализаторах гидрирования. Невысокая температура процесса смещает равновесие реакция гидрирования в сторону образования нафтеновых углеводородов и способствует сохранению углеводородного состава н-алканов на уровне исходного сырья. Однако, как указывалось, металлические катализаторы чрезвычайно чувствительны к действию каталитических ядов и, как правило, требуют предварительной подготовки исходного сырья и глубокой очистки водорода от сернистых соединений. Поэтому жидкие парафины, необходимо подвергать двухступенчатой гидрогенизационной очистке. [2]

Процесс глубокого насыщения водородом при очистке смазочных масел предназначен, в основном, для гидрирования ароматических углеводородов и гидрогенолиза циклических сераоргани-ческих соединений. Особый интерес представляет этот процесс для замены селективной очистки масел, В связи с этим возникает ряд принципиальных вопросов, решение которых требует экспериментальной проверки. [3]

При глубоком насыщении увеличивается время рассасывания неосновных носителей; на границе насыщения режим становится нестабильным. [4]

Схема замещения биполярного транзистора в Я-параметрах. [5]

При глубоком насыщении транзистора в базе накапливается большое количество неосновных носителей, которые задерживают выключение транзистора. [6]

Схема опыта скольжения ( а, изменение тока якоря ( б.| Характеристика холостого хода синхронного генератора. [7]

При глубоком насыщении XXX снова становится линейной. [8]

Осциллограммы токов ТТ при его небольшом ( а и глубоком ( б насыщении при активной нагрузке. [9]

ТТ получают глубокое насыщение сердечников. Это должно учитываться при выполнении реле, питаемых от этих ТТ. Рассматриваемые ТТ могут также использоваться для питания ( при срабатывании защиты) отключающих катушек приводов выключателей, которые часто имеют потребление, намного превосходящее номинальные мощности ТТ; и в этом случае ТТ будут работать в режиме глубокого насыщения. Следует иметь в виду и то, что, например, при сердечниках из высококачественных сталей последние могут иногда насыщаться уже при погрешностях, близких к расчетным. [10]

Поэтому при глубоком насыщении сердечника ток намагничивания ТТ мало отличается от реактивной слагающей тока намагничивания и при расчете нагрузочных режимов работы ТТ в ряде случаев можно пренебрегать влиянием га2, полагая ira2 равным оо. [11]

Поскольку усиление в режиме глубокого насыщения мало, сложно вводить транзистор в этот режим и необходимо знать / г21Э в режиме квази-насыщения. [12]

Если ТТ работает с глубоким насыщением замкнутого ферромагнитного сердечника, и ток намагничивания соизмерим с первичным током, то режимы работы ТТ рассчитываются более точно по схеме замещения, в которой вместо индуктивности намагничивания включен ключ, замыкающийся в момент, когда индукция в сердечнике достигает определенного значения, близкого к индукции насыщения, и размыкается в начале цикла перемагничи-вания ( подробно см. гл. [13]

Протекание такого тока может вызвать глубокое насыщение трансформатора, резкое увеличение погрешности и значительное искажение формы кривой его вторичного тока. Несмотря на то, что действующее значение вторичного тока в несколько раз больше тока срабатывания, искажение его формы может неблагоприятно сказаться на поведении измерительных органов релейной защиты ( см. гл. [14]

Переход индукционного транзистора в область глубокого насыщения приводит к очень низким остаточным напряжениям. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5