Начало - процесс - кристаллизация
Cтраница 2
 |
Изотермическая кристаллизация сырого каучука при различных температурах23. [16] |
При большом растяжении скорость кристаллизации так велика, что методом изменения плотности нельзя уловить начало процесса кристаллизации. Эти результаты показывают, что растяжение облегчает упорядоченное расположение цепей макромолекул, явно неотъемлемой ступени процесса кристаллизации. [17]
 |
Зависимость электросопротивления от температуры для сплава Fe-40 % Ni - 14 % P - 6 % В в аморфном ( / и кристаллическом ( 2 состояниях. [18] |
При 650 К имеется разрыв на зависимости р ( Т), который связан с началом процесса кристаллизации. Однако ход кривой зависимости р ( Т) при более высоких температурах и ее расхождение с аналогичной кривой для рекристаллизованного образца позволяет заключить, что процесс кристаллизации состоит из резкого начального образования кристаллической фазы с последующим гораздо более постепенным увеличением ее количества. [19]
Следуя выводам В. М. Николаева [3], получаем однозначный ответ - температура, соответствующая максимальному значению амплитуды, фиксирует начало процесса кристаллизации парафина, а затухание импульса соответствует температуре массовой кристаллизации. Для подтверждения этого нами была поставлена дополнительная серия опытов и проведен анализ полученных данных. [20]
 |
Температура размягчения различных термопластичных волокон. [21] |
Этот вывод подкрепляется тем, что температуры, характеризующие начало уменьшения прочности волокон различного химического состава и свидетельствующие о начале процесса кристаллизации, коррелируются со значениями температур кристаллизации стекол данного химического состава. [22]
Данные таблицы показывают, что при карбонизации растворов с добавкой ПАВ образуются более крупные кристаллы, однако наблюдается значительная задержка начала процесса кристаллизации. Было отмечено также уменьшение выхода кристаллов при наличии ПАВ в растворе. [23]
 |
Разрез I четверной системы Fe - Mi - Mi - Ms.| Разрез II четверной системы Fe - Mi - Мг - Mt.| Разрез III четверной системы Fe - Mi - Мг - Ms. [24] |
Следовательно, если изображать какой-либо треугольный разрез такой четверной диаграммы, то у него будет только одна кривая поверхно сть, соответствующая началу процесса кристаллизации а - или v-твердого раствора, если разрез не пересекает кривую поверхность ( pi - е - вя - ez) в тетраэдре концентраций. [25]
 |
Изменение aHv ( 1, I2 ( 2, aTl ( 3 и. j2 ( 4 от концентрации раствора МЦ. [26] |
Выдерживание такого раствора при 293 К в течение недели приводит к появлению на рентгенограммах трех достаточно четких колец, соответствующих межплоскостным расстояниям 10.7, 6.6 и 4.2 А ( рис. 4.10, б), что свидетельствует о начале процессов кристаллизации МЦ в этих растворах. [27]
Попытки возвратить мелкие кристаллы в один из корпусов ВКУ для использования их в качестве затравки для образования новых кристаллов не дали положительных результатов, так как для создания условий образования крупных кристаллов в перенасыщенном растворе необходимо удалять избыточное количество зародышей или очень мелких кристаллов eiue в начале процесса кристаллизации, чтобы кристаллизующееся вещество осаждалось только на поверхности уже образовавшихся кристаллов. [28]
У полипропилена это отклонение замечено в области температур 160 - 180 С, причем скорость сдвига, при которой наблюдается отклонение, увеличивается с повышением температуры. Увеличение вязкости указывает на начало процесса кристаллизации. [30]
Страницы: 1 2 3 4