Cтраница 4
Загрязненный материал загружается в кварцевую ампулу с широким горлом, которая соединяется с от-качной системой. Ампула помещается в цилиндрическую электрическую печь. По достижении достаточного вакуума на обмотку печи подается напряжение. Температура печи повышается до тех пор, пока материал не начнет плавиться, - к этому моменту вакуум должен уже быть хорошим. [46]
При диффузии в вакууме кварцевую ампулу не отпаивают от вакуумной системы с тем, чтобы в течение всего диффузионного процесса в системе поддерживался вакуум на определенном уровне. [47]
![]() |
Кристаллическая структура соединений системы Te-Tm. [48] |
Все теллуриды получены в запаянных кварцевых ампулах в температурном интервале 500 - 650 С. [49]
Получают И.ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. Образующийся расплав 1пР подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из р-ра 1пР в расплаве 1п при 700 - 750 С; осаждением из газовой фазы ( пары РС13 пропускают над расплавом 1п при - 800 С, образовавшиеся при этом пары хлоридов 1п переносятся в зону осаждения и вэаимод. С, давая 1пР, кристаллизующийся на монокристаллич. Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок я-типа в качестве пегирующих примесей используют Те, 5е, 3, 5п, а р-типа 2п Се. Для придания монокристаллам полуизолирующих св-в их легируют Ре. [50]
Перед закалкой сплавы в двойных эвакуированных кварцевых ампулах выдерживали в печах при 1300 - 1 час, 1200 - 2, 1100 - 24, 1000 - 48, 850 - 120, 800 - 240 и 700 - 360 час. [51]
Пробу и стандарты запаивают в кварцевые ампулы, облучают 4 часа в нейтронном потоке ( 6 - Ю13 нейтрон / смг-сек) и измеряют активность 124Sb, e Co, 110Ag, As, Cr, 66Zn no 7-пикам 0 603, 1 33, 0 89, 1 21, 0 32, 1 11 Мэв ( соответственно) на 40-канальном сцинтилляционном у-спектрометре. [52]
Условия проведения эксперимента [34]: кварцевая ампула ( см. рис. 3) внутренним диаметром 8 мм, длиной 200 мм; 1 г спектрально чистого порошкообразного углерода, подвергнутого предварительному нагреванию при 1100 в глубоком вакууме. [53]