Cтраница 3
Неясно, будет ли справедливым это положение так же при более высоких пересыщениях и недосыщениях или же эта разница обнаруживается только потому, что пересыщения и недосыщения малы. [31]
Как было указано выше, в камере Вильсона пересыщение в объеме получается вследствие охлаждения насыщенных паров при быстром адиабатическом расширении. В то же время по отношению к стенкам камеры, сохранившим исходную температуру, возникает недосыщение, в результате чего на стенке конденсации не происходит, что и определяет правильное функционирование камеры для обнаруживания траекторий элементарных частиц в газе по образованию капелек конденсата на ионах, возникших на пути частицы. Если, наоборот, насыщенный газ адиабатически быстро сжать, то он нагреется и окажется недосыщенным в объеме. [32]
Это объясняется тем обстоятельством, что в данном случае при разгрузке ранее сжатого кристалла, вследствие недосыщения в кристалле по вакансиям, последние будут в течение каждого цикла разгрузки засасываться с поверхности и в течение каждого цикла последующего сжатия уходить на стоки. [33]
Барретт и Нике [104] рассмотрели случай, когда неконсервативное движение ступенек на винтовых дислокациях может быть связано как с испусканием, так и с поглощением вакансий, а каждый сегмент винтовой дислокации содержит только ступеньки, которые либо испускают вакансии, либо их поглощают. Движение, ступенек, испускающих вакансии, способствует пересыщению, тогда как движение ступенек, поглощающих вакансии, вызывает недосыщение окружения дислокации вакансиями. [34]
Так, данные, представленные на рис. 117, по-видимому, говорят о том, что вследствие создания условий недосыщения по вакансиям в кристалле после разгрузки в него с поверхности, как с источника, засасываются вакансии. При сжатии кристалла, наоборот, создается пересыщение - вакансии идут на стоки и создают некий структурный фон ( см. предпочтительные полосы травления на рис. 117), отличный от основного кристалла, который как раз указывает на то максимальное расстояние, которого успели достигнуть вакансии в процессе разгрузки, диффундируя с поверхности кристалла. Таким образом, на рис. 117 число циклов нагружения соответствует числу горизонтальных полос, которые указывают на постепенное продвижение фронта вакансионной кинетики от ребер и поверхности в глубь кристалла. Тогда при е 10 - 3с - 1 время сжатия кристалла в течение одного цикла составляет 9 с. [35]
Бетге [180] изучал топографию поверхностей роста и испарения на гранях скола NaCl по методу декорирования золотом; этот метод весьма чувствителен для выявления моноатомных спиральных ступеней, образующихся вокруг винтовых дислокаций при испарении. Наблюдалось также, что на ( гладких) участках, удаленных от ступеней в такой степени, что там развивается достаточное недосыщение, возникают ( по механизму поверхностного зарождения) дискообразные углубления моноатомной высоты. [36]
Источники образования таких активных центров самые разнообразные, но тот факт, что в обмене кристалла с раствором частицами вещества участвует не вся поверхность грани кристалла, приводит к определенным последствиям. Если процесс диффузионного переноса частиц вещества от раствора к кристаллу и наоборот совершается через очень тонкую пленку при небольших пересыщениях или недосыщениях раствора, то на скорость процесса роста кристалла или его растворения начинает заметно влиять количество активных центров на поверхности грани. [37]
После разгрузки кристалла ( а 0) возникает соответственно вакан-сионное недосыщение, обусловленное той частью концентрации вакансий с Со-с, которая ушла из объема кристалла на перечисленные выше стоки во время выдержки кристалла под сжимающим напряжением. Здесь и далее везде, где речь будет идти о пересыщении, создаваемом внешним сжимающим давлением, оно будет обозначаться символом с0 / с1, а недосыщение - с0 / с1, в противоположность традиционным обозначениям при закалочных экспериментах, где первое неравенство обычно отражает недосыщение, а второе - пересыщение. Это обусловлено тем обстоятельством, что действие параметров Т и Р противоположно по знаку, поскольку, как видно из (7.8), первый стоит в знаменателе экспоненты, а второй - в числителе. Таким образом, в данном случае уменьшение Т ( закалка) адекватно увеличению Р и наоборот. В случае растягивающих напряжений ситуация меняется на противоположную и символы, обозначающие пересыщение и недосыщение, становятся такими же, как в опытах при закалке. [38]
Неясно, будет ли справедливым это положение так же при более высоких пересыщениях и недосыщениях или же эта разница обнаруживается только потому, что пересыщения и недосыщения малы. [39]
Таким образом, физическая природа интенсификации микропластического течения в поверхностных слоях материалов и последующего усталостного разрушения при циклических нагрузках должна рассматриваться именно с указанных позиций. При этом следует отметить, что необратимое действие вакансионного насоса при циклировании, создающего спектр приповерхностных источников дислокаций и вызывающего их переползание, обеспечивается не только созданием периодического пересыщения при цикле сжатия и существующим недосыщением на стоках [601, 602], но и различием потенциальных энергетических барьеров на источниках и стоках точечных дефектов, непосредственно на поверхности и в более удаленных от поверхности приповерхностных слоях. Поэтому полученные в главе 7 результаты представляют основу для дальнейшего развития как теоретических, так и экспериментальных исследований в области изучения основных закономерностей эволюции дислокационной структуры при испытаниях на длительную и циклическую прочность и физической природы усталости металлических и неметаллических материалов в различном диапазоне напряжений и температур. [40]
После разгрузки кристалла ( а 0) возникает соответственно вакан-сионное недосыщение, обусловленное той частью концентрации вакансий с Со-с, которая ушла из объема кристалла на перечисленные выше стоки во время выдержки кристалла под сжимающим напряжением. Здесь и далее везде, где речь будет идти о пересыщении, создаваемом внешним сжимающим давлением, оно будет обозначаться символом с0 / с1, а недосыщение - с0 / с1, в противоположность традиционным обозначениям при закалочных экспериментах, где первое неравенство обычно отражает недосыщение, а второе - пересыщение. Это обусловлено тем обстоятельством, что действие параметров Т и Р противоположно по знаку, поскольку, как видно из (7.8), первый стоит в знаменателе экспоненты, а второй - в числителе. Таким образом, в данном случае уменьшение Т ( закалка) адекватно увеличению Р и наоборот. В случае растягивающих напряжений ситуация меняется на противоположную и символы, обозначающие пересыщение и недосыщение, становятся такими же, как в опытах при закалке. [41]
Последнее задавалось растворами ( см. г на рис. 11) KI в воде. Сильная зависимость In Sc от - In 50 указывает на то, что на подложке-гексадекане путем адсорбции выделяется некоторое количество воды, даже при небольшом недосыщении облегчающее образование капелек при пересыщении. Объяснить количественно эту зависимость пока еще не удалось, однако то обстоятельство, что при - достаточно больших недосыщениях ( - In S0 0 24) критическое пересыщение In Sc перестает зависеть от In S0, показывает, что гексадекан ведет себя при этом как сухой и дает возможность интерпретировать асимптотическое значение In Sc 0 26 с этой точки зрения. [42]
Известный интерес представляет вопрос о применимости индекса Ланжелье для этой цели. Индекс Ланжелье, так же как и ДР1, является функцией отношения произведения концентраций ионов Са2 и СОз - к произведению растворимости карбоната кальция. Разница между ними состоит в том, что ДР1 определяется непосредственно этим соотношением, а индекс Ланжелье - логарифмом его. Поэтому вследствие своей логарифмической природы общепризнанный показатель степени пересыщения или недосыщения воды карбонатом кальция - индекс Ланжелье не является показателем истинной степени пересыщения воды этим соединением и не характеризует должным образом силы, вызывающей отложение карбоната кальция. [43]
Скорость испарения грани кристалла в области, обдуваемой микроструей, была чрезвычайно мала, пока не достигалось критическое значение недосыщения. Очевидно, для того чтобы происходило испарение совершенной грани, требуется критическое недосыщение. [44]
Если в пластинке под действием струи образуется отверстие, его можно вновь зарастить при обдувании струей пересыщенного паратолуидином воздуха. Но если пересыщение низкое, отверстие зарастает только до диаметра 10 мкм. Причина этого не вполне ясна, поскольку давление пара над вогнутой поверхностью должно уменьшаться с увеличением кривизны. Если струя падает на поверхность на расстоянии от края, меньшем 100 мкм, при отношении недосыщения 0 35, то в течение 40 сек испарения не происходит. Затем вблизи ребра образуется крошечная ямка, быстро разрастающаяся в круг с центром в той точке, куда направлена струя. Таким образом, ребро, будучи несовершенным, работает как область начала испарения. [45]