Зарядная нейтральность

Cтраница 1

Зарядная нейтральность в стационарном разряде обеспечивается тем, что при отступлении от нее нескомпенсированный объемный заряд создает внутреннее электрическое поле, которое в зависимости от знака избыточного заряда ускоряет или замедляет электроны. Это усиливает или ослабляет интенсивность ионизации до тех пор, пока вновь не восстанавливается равенство ( динамическое) концентраций зарядов обоих знаков. [1]

При зарядной нейтральности напряженность поля в междуэлектродном промежутке минимальна. [2]

Это приводит в свою очередь к уменьшению дырочной составляющей тока, инжектируемой в слой % эмиттером plt поскольку по закону зарядной нейтральности число входящих зарядов обоих знаков в любой базе должно быть одинаковым как в стационарном, так и в переходном режимах. Одновременно с составляющими убывает и полный ток в тиристоре. [3]

Пока число дырок в данном слое полупроводника остается таким же, как и число отрицательных ионов в нем, в слое сохраняется зарядная нейтральность. При компенсации некоторого количества дырок электронами, пришедшими из других слоев, в данном слое появляется нескомпенсированный отрицательный объемный заряд, созданный ионами акцепторной примеси. [4]

Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора ( а и кривая обратного тока ( б в период выключения тиристора через анод. [5]

Благодаря переходу дырок из базы р2 в базу % концентрация их в толстой базе, а следовательно, и электронов ( закон зарядной нейтральности) убывает, но эта убыль происходит медленнее, чем в тонкой базе. [6]

Так как ни одна из баз неуправляемого тиристора не имеет внешнего вывода ( через который могли бы поступать носители в базу извне), а закон зарядной нейтральности ( выражающийся в одинаковом числе зарядов обоих знаков в любом полупроводниковом объеме при отсутствии в нем электрического поля) должен всегда соблюдаться, то заряды разных знаков в каждой из баз, и создаваемые ими токи должны быть одинаковы. [7]

Вместе с плотностью тока возрастает и относительная доля электронов и ионов, рекомбинирующих на стенках, в связи с тем, что плазма подходит ближе к стенкам в местах сужения. Для сохранения зарядной нейтральности в местах сужения дуги интенсивность ионизации должна повышаться. [8]

Управление с помощью базового тока сводится к изменению количества зарядов, заполняющих базу. В силу закона зарядной нейтральности количество зарядов обоих знаков, заполняющих базу, должно быть всегда одинаковым. Поэтому когда электроны, вносимые током в базу триода типа р-п - р, сообщают базе вначале отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру, то поток дырок через эмиттерный переход увеличивается. Это приводит к возрастанию эмиттерного тока и количества дырок, заполняющих базу. Одновременно увеличивается и коллекторный ток благодаря возрастанию градиента концентрации носителей в базе. [9]

Небольшая часть дырок, инжектированных эмиттером, попадает в центры рекомбинации и исчезает, рекомбини-руя с электронами. Заряд этих дырок остается в базе, и для восстановления зарядной нейтральности базы из внешней цепи за счет источника Ев в базу поступают электроны. [10]

Удобно представить себе, что на некотором расстоянии от электронного слоя имеется заземленная плоскость, так что функция и ( г - г) обрезается на больших расстояниях и возможно однородное изменение плотности электронов N при конечном изменении энергии, приходящейся на электрон. Функционал E ( N, В) есть плотность энергии бесконечной системы; находящейся в постоянном магнитном поле В и имеющей постоянную макроскопическую плотность электронов N при наличии случайного примесного потенциала и однородного положительного фонового заряда, обеспечивающего общую зарядную нейтральность. [11]

Страницы: 1