Cтраница 1
![]() |
Характеристики идеализированных диодов с разными площадями переходов ( а и разными тепловыми токами - германиевого и кремниевого ( б. [1] |
Нелинейность характеристики диода удобно оценивать, сопоставляя его сопротивления в прямом и обратном направлениях. Как и для других нелинейных элементов, различают дифференциальные сопротивления и сопротивления постоянному току. [2]
Из нелинейности характеристик диодов вытекает необходимость проводить измерения при известных величинах напряжения: и тока. [3]
![]() |
Схема для снятия ристик триода. [4] |
На рис. 4 нелинейность характеристики диода и степень искажения формы кривой анодного тока для наглядности сильно преувеличены. [5]
![]() |
Схема диодного детектора.| Характеристики выпрямления и линия нагрузки. [6] |
Для уменьшения влияния нелинейности характеристики диода на детектор подают высокочастотное напряжение большой амплитуды и используют большие сопротивления нагрузки. Из рис. 16.27 видно, что при больших сопротивлениях нагрузки криволинейность характеристик выпрямления несущественна. В самом деле, линия нагрузки пересекает характеристики выпрямления вблизи оси абсцисс в точках, для которых выпрямленные напряжения близки к значениям амплитуды высокочастотного напряжения. [7]
![]() |
Характеристики выпрямления диода к примеру 7 - 13. [8] |
Детектирование слабых сигналов основано на использовании нелинейности характеристики диода вблизи начала. На рис. 7 - 83, б показаны формы тока и напряжения для схемы диодного детектора, рис. 7 - 83, а - при слабом сигнале. [9]
В этой схеме невозможно получить люфта-она смазывается нелинейностью характеристик диодов и утечками. Кроме того, сопротивления схемы велики; на нижнем сгибе характеристики сопротивление диода также велико. Поэтому заряд и разряд конденсатора совершаются сравнительно медленно. Применить конденсатор малой емкости нельзя, так как он будет заметно разряжаться на утечки в то время, когда схема находится в зоне люфта. [10]
При определении формы кривой выходного напряжения с учетом нелинейности характеристики диода аналитический метод существенно усложняет решение. Наиболее просто выходное напряжение определяется графическим методом. На рис. 22.25, б изображены характеристики туннельного диода г ( ыд) и вольт-амперная характеристика i ( u), учитывающая напряжения на резисторах гк и г: и иГц иг. Результирующая характеристика i ( tiw) получена путем суммирования напряжений ил и и соответственно на диоде и резисторах при одних и тех же значениях тока. [11]
![]() |
Вариант схемы совпадений на кристаллических диодах. [12] |
Если же импульсы приходят на оба входа одновременно, то вследствие нелинейности характеристик диодов сумма первых двух членов в правой части выражения ( 62 1) больше, чем третий член, и между точками виг появляется разность потенциалов, которая усиливается дифференциальным усилителем, собранным на лампе 6Ж1П, и затем регистрируется счетчиком. [13]
Очевидно, полученный результат при этом будет отличаться от истинного из-за нелинейности характеристики диодов и конечной величины обратного сопротивления. Однако, как указано в [12], полученные критерии подтверждаются экспериментом с достаточной точностью. [14]
![]() |
Схема и кривые, поясняющие принцип действия простейшего диодного вольтметра. [15] |