Неоднородность - распределение - примесь
Cтраница 1
 |
Распределение примеси в. [1] |
Неоднородность распределения примеси в объеме кристаллов, описываемого уравнением (4.1.48), является следствием перехода примеси из адсорбционного слоя террасы А в слой А торца. [2]
Неоднородность распределения примеси железа в проволоке составляет те же величины, поэтому погрешность от градиента тепловой составляющей потока нейтронов незначительна. [3]
В результате неоднородность распределения примеси по сечению монокристалла возрастает. [4]
Для методов первой группы характерна неоднородность распределения примесей по всей толщине слоя. [5]
Как видно из рис. 4.23, неоднородность распределения примеси, вызываемая технологическими причинами, по своей абсолютной величине значительно уступает неоднородности, вызываемой фундаментальными причинами. Современный уровень конструирования, изготовления и эксплуатации оборудования для выращивания монокристаллов полупроводников позволяет свести такую неоднородность к минимуму. [6]
При анализе материалов высокой чистоты возникают большие трудности, связанные с неоднородностью распределения примесей, необходимостью измельчения и опасностью загрязнения анализируемого материала при отборе средней пробы. [7]
 |
Распределение дислокаций в образце на расстоянии 35 мм от затравки. Отр. 220, ил. ( [ 11. Ун. Х8. [8] |
Увеличение плотности дислокаций в нижней половине слитка может быть связано с возрастанием неоднородности распределения примесей и ухудшением тепловых условий на фронте кристаллизации по мере уменьшения количества расплава в тигле. [9]
На отдельных образцах соединения наблюдались явления возникновения фотоэдс ( связанной, по-видимому, с наличием контактов и неоднородностей распределения примесей по образцу) и фотопроводимости при 300 и 77 К, детальное изучение которых, возможно, позволит получить более подробную информацию о зонной структуре этого материала. [10]
Для кристалла 1 ( см. рис. 3) пол-ностью выполняется условие ( 5), и поэтому связанная с эффектом оплавления неоднородность распределения примеси не проявляется. Для кристалла 2, по-видимому, выполняется условие У УС, а следовательно, в нем также не проявляется эффект оплавления. Кристалл 3 выращен в условиях vtWA, и эффект оплавления проявляется в нем незначительно. Режим выращивания кристалла 4, по-видимому, не соответствует условию ( 6), и радиальная неоднородность распределения примеси в нем самая большая. [12]
Во время послойного анализа твердых тел вещество распыляется с относительно большой площади поверхности пробы ( 100 - 300 мм2), поэтому влияние неоднородности распределения примесей на результаты послойного анализа уменьшается. Алюминиевая пленка исключает зависимость УСЛОВИЙ нскрооб-разования от сопротивления пробы. Энергия, выделяющаяся на электродах в момент пробоя вакуумного промежутка, поддерживается постоянной благодаря регулированию межэлектродного зазора. Об этом, в частности, свидетельствует сравнительно высокая стабильность ионного тока. Кроме того, в течение всего эксперимента практически не изменяется местоположение искрового разряда относительно входной щели масс-анализато-ра, поэтому остается постоянным распределение плотности ионного тока по сечению пучка и улучшается точность измерения экспозиции коллектором монитора. [13]
Удаление необходимого количества вещества с относительно большой поверхности пробы позволяет зарегистрировать малые концентрации примесей в тонких слоях вещества без повышения абсолютной чувствительности метода анализа; одновременно с этим улучшается и надежность экспериментальных данных благодаря усреднению статистических неоднородностей распределения примесей. [14]
Рассмотрим распределение энергий свободных зарядов в неоднородном полупроводнике. Неоднородность распределения примесей по объему привела к тому, что один конец полупроводника оказался положительно заряженным по отношению к другому концу. [15]
Страницы: 1 2 3