Подобная неоднородность
Cтраница 1
 |
Микрофотографии ультратонких срезов пленок, содержащих 35 % ДОФ с добавкой иода. [1] |
Подобная неоднородность обнаруживается и электронной микроскопией. Однако добавка иода к пластификатору, повышающая контрастность, позволяет выявить совершенно явственную неоднородность структуры. [2]
Подобная неоднородность возникает при наличии разнородных атомов в кристаллической решетке металла, различия активностей отдельных атомов на поверхности металла вследствие неодинаковой топографии в кристаллической решетке или в результате неодинакового теплового колебания их в кристаллической решетке. [3]
Подобная неоднородность проводимости грунта может возникнуть вблизи заземлителей в результате, например, подсушивания почвы током или диффузии солевых растворов. Она может оказать существенное влияние на параметры заземляющих систем при импульсном воздействии, в квазистационарном и переходном режимах. [4]
Подобную неоднородность будем условно называть упругой неоднородностью или разномодульностью. Как будет показано ниже, упругая неоднородность также приводит к усложнению напряженно-деформированного состояния соединений. Ее изучение представляется важным особенно для оценки хрупкой прочности, трещиностойкости соединений, их сопротивления усталости. [5]
 |
Хрупкая прочность композиционных мягких прослоек. [6] |
Подобную неоднородность будем условно называть упругой неоднородностью или разномодульностью. Как будет показано ниже, упругая неоднородность также приводит к усложнению напряженно-деформированного состояния соединений. Ее изучение представляется важным особенно для оценки хрупкой прочности, трещиностойко-сти соединений, их сопротивления усталости. [7]
 |
Эквивалентная шунтирующая проводимость емкостной ( а и индуктивной ( б диафрагм в П - волноводе ( сплошная линия - теоретический расчет, х. [8] |
Расчет параметров подобных неоднородностей при конструировании СВЧ аппаратуры представляет немаловажное значение. Однако в литературе этот вопрос недостаточно полно освещен. [9]
Следует отметить, что подобная неоднородность нефтяного пласта относительно модуля его упругости тем не менее может привести к существенной перестройке поля насыщенности при двухфазной фильтрации в пласте. [10]
 |
Совмещение двух крайних структур двойного электрического слоя в результате кристаллографической неоднородности поверхности металла и адсорбции поверхностно-активных ионов. [11] |
Один из возможных случаев подобной неоднородности отражен на рис. 12.6. Он отвечает экспериментальным условиям, когда различия в нулевых точках граней разных символов настолько велики, что при данном потенциале электрода заряды этих граней оказываются не только неодинаковыми по значению, но и обратными по знаку ( хотя эквипотен-циальность поверхности сохраняется); например, верхний участок заряжен положительно, а нижний - отрицательно. Если, кроме того, в растворе присутствуют как поверхностно-активные анионы, так и поверхностно-активные катионы, то внутренняя обкладка плотной части двойного слоя на верхнем участке будет заряжена отрицательно, а на нижнем - положительно. Поскольку ионы находятся в непрерывном тепловом движении, то в промежутке между двумя крайними структурами двойного слоя должна возникнуть узкая область, в которой вообще будет отсутствовать диффузный слой. Таким образом, кристаллографическая микронеоднородность может приводить к радикальным изменениям в структуре двойного электрического слоя, что должно сказываться на течении всех процессов, связанных со строением двойного слоя. [12]
 |
Совмещение двух крайних структур двойного электрического слоя в результате кристаллографической неоднородности поверхности металла и адсорбции поверхностно-активных ионов. [13] |
Один из возможных случаев подобной неоднородности отражен на рис. 12.6. Он отвечает экспериментальным условиям, когда различия в нулевых точках граней разных символов настолько велики, что при данном потенциале электрода заряды этих граней оказываются не только неодинаковыми по значению, но и обратными по знаку ( хотя эквипотен-циалыюсть поверхности сохраняется); например, верхний участок заряжен положительно, а нижний - отрицательно. Если, кроме того, в растворе присутствуют как поверхностно-активные анионы, так и поверхностно-активные катионы, то внутренняя обкладка плотной части двойного слоя на верхнем участке будет заряжена отрицательно, а на нижнем - положительно. Поскольку ионы находятся в непрерывном тепловом движении, то в промежутке между двумя крайними структурами двойного слоя должна возникнуть узкая область, в которой вообще будет отсутствовать диффузный слой. Таким образом, кристаллографическая микронеоднородность может приводить к радикальным изменениям в структуре двойного электрического слоя, что должно сказываться на течении всех процессов, связанных со строением двойного слоя. [14]
Повторяем, однако, что случаи подобной неоднородности в практике лабораторий встречаются чрезвычайно редко. [15]
Страницы: 1 2 3