Электрическая неоднородность
Cтраница 1
Электрические неоднородности, создаваемые на поверхности материалов трехмерными дефектами, оказываются существенными не только в процессах адсорбции, они важны также и для понимания реальной структуры и электрофизических свойств переходного слоя, образующегося между пленкой и подложкой при эпитаксиальном росте. По-видимому, изменение термодинамических условий в окрестности трехмерного дефекта должно увеличивать вероятность осаждения того или иного компонента. Как показали исследования переходного слоя, проведенные нами на автоэпитаксиальных слоях ( lOO) GaAs, влияние электрического рельефа, создаваемого трехмерными дефектами, может быть скомпенсировано либо изменением начальных условий роста, либо введением соответствующей примеси. [1]
Электрическая неоднородность обсадной колонны, особенно неоднородность, обусловленная нарушением сплошности электроизоляционного покрытия трубы, существенно искажает показания градиент-зондов и в значительно меньшей степени влияет на показания потенциал-зондов. Показания потенциал-зондов обеспечивают более точное определение удельного сопротивления пород за счет большей дифференциации кривых потенциал-зондирования по сравнению с кривыми градиент-зондирования. Все это указывает на необходимость проведения бокового электрического зондирования в скважинах, обсаженных ОМПТ, потенциал-зондами. [2]
Электрическая неоднородность обсадной колонны, особенно неоднородность, обусловленная нарушением сплошности электроизоляционного покрытия трубы, существенно искажает показания градиент-зондов и и значительно меньшей степени влияет на показания потенциал-зондов. Показания потенциал-зондов обеспечивают более точное определение удельного сопротивления пород за счет большей дифференциации кривых потенциал-зондирования по сравнению с кривыми градиент-зондирования. Вес это указывает па необходимость проведения бокового электрического зондирования в скважинах, обсаженных ОМПТ, потенциал-зондами. [3]
Покоящиеся и движущиеся электрические неоднородности ( домены и шнуры) в однородных полупроводниках. [4]
Другим тип-ом управляемых электрических неоднородностей вг-однородном материале являются заряды в потенциальных ямах. И здесь выполнение заданных функций достигается топологией4 контактов. Чрезвычайно перспективно совмещение принципа переноса заряда в потенциальных ямах с захватом и хранением заряда в приповерхностном слое ( злектретный эффект), что позволяет совместить долговременное хранение больших объемов информации и ее обработку. [5]
В силу электрической неоднородности материала кольца напряженность электрического поля содержит две составляющие: вихревую, равную - dA / dt, и потенциальную - grad U. Возникающие на общих границах полуколец электрические заряды создают электрическое поле. [6]
Другой тип управления электрическими неоднородностями в однородном материале состоит в помещении зарядов в потенциальные ямы в приэлектродной области. И здесь выполнение заданных функций достигается топологией контактов. Очень перспективно объединение методов, сочетающих заряд в потенциальных ямах с захватом и хранением заряда в поверхностном слое ( электретный эффект), что позволяет совместить длительное хранение больших объемов информации и ее обработку. [7]
 |
Палетка БЭЗ-ОМПТ градиент-зондов ( а и потенциал-зарядов ( б, составленная по ЕНШевкунову ( шифр кривых Рп / Рс. [8] |
Исследования показали, что электрическая неоднородность обсадной колонны, в особенности неоднородность, обусловленная нарушением сплошности электроизоляционного покрытия трубы, существенно искажает показания градиент-зондов и в значительно меньшей мере влияет на показания потенциал-зондов. Это объясняется тем, что показания потенциал-зондов определяются осредненной характеристикой электрического поля в объеме, окружающем источник тока, радиус которого в 5 - 10 раз превышает длину зонда. [9]
Энергетическая неоднородность поверхности частиц, дисперсной фазы обусловливает и электрическую неоднородность, возникающую при формировании заряда поверхности в результате диссоциации мыл или адсорбции маслорастворимых ионообразующих веществ. [10]
В настоящей работе экспериментально показано, что величина и вид локальных электрических неоднородностей на поверхности кристалла определяются геометрией трехмерного дефекта. Проведен теоретический анализ основных факторов, вызывающих нарушении периодичности электрического поля вблизи поверхностного дефекта. Полученные экспериментальные данные сопоставляются с теоретическими оценками. Обсуждается роль различного рода поверхностных дефектов на начальных стадиях зарождения эпитаксиальных слоев. [11]
В стремительно развивающейся полупроводниковой технике интроскопия необходима для исследования структуры монокристаллов, электрической неоднородности, степени надежности, выявления зон дислокаций, обнаружения включений. [12]
К сожалению, в настоящее время отсутствуют экспериментальные методы количественной оценки величины локальных электрических неоднородностей, создаваемых поверхностными дефектами. [13]
Электрический потенциал Фдифф, градиент которого Усрдифф входит в соотношение (4.19.3), обусловлен только внутренней электрической неоднородностью объекта и обычно носит название диффузионного потенциала. [14]
Электрический потенциал Фдифф, градиент которого Урдифф входит в соотношение (4.19.3), обусловлен только внутренней электрической неоднородностью объекта и обычно носит название диффузионного потенциала. [15]
Страницы: 1 2 3