Непараболичность - зона
Cтраница 3
Самосогласованные расчеты на основе приближения Хартри показывают4, что при достаточно большой концентрации электронов связанные поверхностные состояния могут существовать даже в отсутствие внешнего электрического поля. Описанные самосогласованные вычисления приводят к результатам, согласующимся, во всяком случае качественно, с экспериментами Цуи. Наличие значительной непараболичности зон в реальных обогащенных слоях InAs не позволяет проводить количественные сопоставления. [31]
Наряду с описанным выше механизмом изменения показателя преломления в полупроводниковых кристаллах реализуются и другие нелинейные механизмы. Другая причина изменения показателя преломления связана с переходами свободных носителей внутри зоны проводимости. За счет этих переходов реализуется тепловая нелинейность, так как возбужденный носитель, термализуясь, греет кристаллическую решетку. Другая причина заключается в непараболичности зоны. Кроме указанных механизмов, изменение показателя преломления может быть связано с рождением экситонов, особенно при низкой температуре. [32]
В работах Цуи [1805-1807, 1809-1813] интенсивно исследовались обогащенные слои п-типа на поверхности вырожденного InAs ( 2 2 - 1016 см-3 ND - NA 1 6 - 1018 см-3), в которых наряду со связанными существуют и свободные заряды. На производной туннельной проводимости по приложенному напряжению имеются провалы при напряжениях, соответствующих совпадению дна подзон с уровнем Ферми в металлическом затворе. В перпендикулярном поверхности магнитном поле проводимость испытывает квантовые осцилляции, вызываемые уровнями Ландау связанных состояний. Было установлено, что эта масса растет с ростом магнитного поля, отражая непараболичность зоны проводимости. В этих туннельных экспериментах впервые наблюдался диамагнитный сдвиг уровней энергий [1808], вызванный магнитным полем, параллельным поверхности, и обсуждавшийся в § 4 гл. [34]
Страницы: 1 2 3