Неравномерность - распределение - потенциал
Cтраница 1
Неравномерность распределения потенциала вдоль гирлянды высоковольтных изоляторов, которая особенно усиливается в условиях влажной и загрязненной атмосферы, приводит к целому ряду неполадок в процессе их эксплуатации. [1]
 |
Схемы искусственных заземлителей. [2] |
Неравномерность распределения потенциалов на поверхности земли над заземлителем и вокруг него создает опасные напряжения шага и прикосновения. [3]
 |
Влияние расположения анодных заземлений на распределение потенциала вдоль подземного трубопровода. [4] |
Возрастание стационарной плотности тока резко увеличивает неравномерность распределения потенциала и сокращает дальность действия защиты. [5]
Для объяснения возможности образования таких мостиков необходимо принять во внимание неравномерность распределения потенциала в двойном слое параллельно поверхности электрода, на которую указывалось в наших работах [51], О. А. Есиным [52] и Б. В. Эршлером [53], но которая не учитывается в общепринятой теории двойного слоя. Малость этой концентрации, однако, не снижает зна-чепия решения поставленной задачи с точки зрения электрохимической кинетики. [6]
 |
К отысканию стационарных состояний систем с падающей характеристикой ( С - емкость электрода. [7] |
Из (7.15) следует, что с ростом ф0 растет степень неравномерности распределения потенциала и плотности тока. [8]
Расчет распределения потенциала поляризации в гранулах пористых углеродных материалов основанный на предположении о реализации активационно-омического режима, показал, что с уменьшением радиуса пор возрастает неравномерность распределения потенциала. [9]
 |
Путь тока в поре графитового анода. [10] |
Данные таблицы подтверждают вывод об изменении потенциала по глубине работающего пористого электрода. С увеличением плотности тока возрастает неравномерность распределения потенциала по глубине электрода. [11]
Слабая зависимость / а от Ua объясняется очень слабым проникновением поля анода через три сетки в область пространственного заряда у катода. Плавный переход в пологий участок обусловлен неравномерностью распределения потенциала между витками третьей сетки. [12]
Структура прикладного сектора страдает отставанием потенциала, обеспечивающего создание наукоемких технологий. Главным недостатком в региональном разрезе является слабая научная база, неравномерность распределения имеющегося потенциала - 3 / 4 его сосредоточено в Алматы. При этом вне Академии наук и ВУЗов работает лишь 1 / 3 научных кадров, причем многие из них заняты в управлении, медицине, других отраслях непроизводственной сферы. [13]
После пробоя всей цепочки искровых промежутков генератор импульсных токов разрядится на объект через работавший многократный промежуток. Схема работает автоматически, она подготавливается к следующему разряду без дополнительных манипуляций со стороны экспериментатора. Время срабатывания схемы измеряется микросекундами или долями микросекунды. При переходе от одного интервала импульсных напряжений к другому необходимо производить переключения на делителе. Усиление неравномерности распределения потенциала вдоль цепочки искровых промежутков способствует улучшению действия многократного промежутка. Способы неравномерного распределения напряжения вдоль многократных промежутков, разработанные, например, применительно к вентильным разрядникам, могут быть применены в данном случае. [14]
Страницы: 1