Геометрическое несовершенство

Cтраница 3

К сожалению, не существует универсального простого метода, позволяющего точно определить, когда неустойчивые процессы на микроуровне порождают неустойчивость на макроуровне. В этом случае, так же как и при неустойчивости при сжатии элемента конструкции или конструкции в целом, важную роль играют начальные геометрические несовершенства, особенности закрепления и начальные напряжения. Как и в случае сложных задач, связанных с потерей устойчивости конструкций, для отыскания истинно начальных условий необходимо в большинстве случаев исследовать всю предысторию поведения. [31]

Природа возникновения вибрации в подшипниках качения очень сложна, так как она зависит от множества причин. Вибрация внешнего кольца создается, в основном, двумя видами источников: циклическими изменениями податливости элементов подшипника при нагрузке ( эти вибрации имеют место даже в случае геометрически идеальных форм элементов) и геометрическими несовершенствами элементов подшипника. [32]

В теории устойчивости упругих пластин характерным является одно критическое значение нагрузки / к, при превышении которого начальное состояние идеально правильной пластины перестает быть устойчивым. В теории устойчивости тонких упругих оболочек выделяют два характерных значения нагрузки: Рк - критическая нагрузка, после достижения которой перестает быть устойчивым начальное напряженно-деформированное состояние идеально правильной оболочки; Р ц - нагрузка, при достижении которой происходит хлопок реальной оболочки с геометрическими несовершенствами формы. [33]

Этот рисунок показывает, как изменяется картина, представленная на 59, если подвергнуть кристалл боковому сжатию с напряжением сг22ст22, которое сдвигает точку бифуркации в точку максимума кривой деформация - напряжение. Кривая разрушающих напряжений состоит из двух лучей. [34]

Видно, что имеется неустойчивая сборка, причем чувствительность к несовершенствам описывается законом двух третей и показана на диаграмме внизу справа. Здесь сборка в двумерном пространстве управлений ( alif a12) порождает кривую разрушающих напряжений. Конечно, следует ожидать аналогичной сильной чувствительности к геометрическим несовершенствам, которые нарушают симметрию. [35]

Этот рисунок показывает, как изменяется картина, представленная на 59, если подвергнуть кристалл боковому сжатию с напряжением а22а22 которое сдвигает точку бифуркации в точку максимума кривой деформация - напряжение. Кривая разрушающих напряжений состоят-из-двух лучей. [36]

Видно, что имеется неустойчивая сборка, причем чувствительность к несовершенствам описывается законом двух третей и показана на диаграмме внизу справа. Здесь сборка в двумерном пространстве управлений ( CTH, a12) порождает кривую разрушающих напряжений. Конечно, следует ожидать аналогичной сильной чувствительности к геометрическим несовершенствам, которые нарушают симметрию. [37]

Страницы: 1 2 3