Линейное несовершенство

Cтраница 2

Дислокациями называют линейные несовершенства или одномерные дефекты кристаллических решеток реальных металлов, представляющие собой особые нарушения кристаллического строения, связанные с отклонениями реальных кристаллов от идеального их строения. [16]

Зонные схемы примесных полупроводников. [17]

Дислокацией называется линейное несовершенство, образующее внутри кристалла границу зоны сдвига. [18]

Петли дислокаций вокруг частиц, пересекающих плоскость скольжения. дислокации перемещаются слева направо ( модель Орована.| Изменение твердости зака ленной от 730 С низкоуглеродистой стали ( 0 06 % С в зависимости от температуры и длительности старения. [19]

Дислокацией называется линейное несовершенство кристалла, образующее границу неоднородного сдвига или поворота кристаллической решетки. [20]

Сравнение рис. XIV.5 и XIV.10 показывает, что линейные несовершенства, возникающие при этом, являются дислокациями. Как указывалось, вокруг дислокаций возникают поля упругих напряжений. Расчет энергии упругой деформации позволяет оценить зависимость энергии границ от угла поворота зерен. [21]

К структурным несовершенствам в кристаллах в первую очередь относятся линейные несовершенства, известные под общим названием дислокаций. Среди них особое место в полупроводниках занимают так называемые линейные или краевые дислокации. [22]

В противоположность точечным дефектам, ограниченным во всех направлениях, линейные несовершенства распространяются на значительную длину. [23]

Несовершенства решетки кристаллов делятся на три основных вида [14]: 1) точечные несовершенства, к которым относятся вакансии и внедренные атомы; 2) линейные несовершенства или дислокации, охватывающие ряд последовательных атомных плоскостей; 3) поверхностные несовершенства, представляющие собой границы зерен, блоков, поверхности между фазами и свободные поверхности. [24]

Для объяснения механизма пластического деформирования была разработана теория дислокаций. По этой теории при пластическом деформировании в металле образуются, перемещаются и взаимодействуют между собой и с другими дефектами кристаллического строения линейные несовершенства, называемые дислокациями. Впервые понятие о дислокациях было введено в 1934 г. Тэйлором в Англии и одновременно венграми - Орованом и Поляни. Теория дислокаций, получившая в последнее время экспериментальное подтверждение, объясняет многие явления, протекающие в металлах, в том числе низкую реальную прочность металлов по сравнению с их теоретической прочностью. [25]

К качеству кристаллов, предназначенных для изготовления затравочных пластин для выращивания пьезокварца и оптически однородного кварца, предъявляются различные технические требования. Для изготовления пьезокварцевых затравок используются обычно синтетические кристаллы любой энантиоморфной разновидности, свободные от дофинейских и бразильских двойников, выращенные с различными, преимущественно повышенными скоростями. По мере ужесточения требований к качеству резонаторов и вытеснения из производственной сферы дорогостоящего и дефицитного природного кварца синтетическим предпринимаются попытки нормирования плотности дислокаций в синтетическом пьезокварце. Однако выращивание пьезокварцевых кристаллов с контролируемой плотностью дислокаций на вертикально расположенных затравочных пластинах является чрезвычайно сложной технологической задачей, поскольку линейные несовершенства не только наследуются от затравок, но и образуются в больших количествах в местах врастания в кристаллы твердых включений. [26]

К качеству кристаллов, предназначенных для изготовления затравочных пластин для выращивания пьезокварца и оптически однородного кварца, предъявляются различные технические требования. Для изготовления пьезокварцевых затравок используются обычно синтетические кристаллы любой эНантиоморфной разновидности, свободные от дофинейских и бразильских двойников, выращенные с различными, преимущественно повышенными скоростями. По мере ужесточения требований к качеству резонаторов и вытеснения из производственной сферы дорогостоящего и дефицитного природного кварца синтетическим предпринимаются попытки нормирования плотности дислокаций в синтетическом пьезокварце. Однако выращивание пьезокварцевых кристаллов с контролируемой плотностью дислокаций на вертикально расположенных затравочных пластинах является чрезвычайно сложной технологической задачей, поскольку линейные несовершенства не только наследуются от затравок, но и образуются в больших количествах в местах врастания в кристаллы твердых включений. [27]

Физически эта сложность как будто влечет за собой такие последствия. Для выпучивания по типу стандартной сборки мы получаем с помощью обычного анализа совершенное ( светлые линии на рис. 13.40 ( а)) и несовершенное ( жирные линии) поведение. Несовершенство, связанное с наклоном установки, равно как и те несовершенства, что были рассмотрены для двойственной сборки в § 11, могут вызвать выпучивание щелчком при возрастании нагрузки ( рис. 13.40 ( Ь)), причем максимальная величина сначала линейно возрастает с несовершенством. Но даже и при наклоне большинство историй нагрузки не будет содержать такого прощелкивания; на рис. 13.40 ( с) оно имеет место лишь для средней линии, проходя через острие. Вероятность скачка не нуль, но и не велика. Однако вблизи составной точки выпучивания, которую мы рассматривали, вещи устроены гораздо тоньше. Анализ, проведенный у Мэгнуса и Постона [125], показывает, что в то время как скачки могут оставаться редкими для грубых экспериментов ( где, по-видимому, доминируют линейные несовершенства), усовершенствование экспериментальной техники делает скачки моды все более и более частыми. Система ведет себя тем менее, а не тем более гладко, чем больше стараний было приложено. [28]

Страницы: 1 2