Несоответствие - параметр - решетка
Cтраница 2
Наиболее прочное сцепление покрытия с основой достигается при условии образования между ними промежуточного слоя. Толщина этого слоя примерно равна 1 5 мкм. Образование переходного слоя от металла к шлаку приводит к структурным изменениям в поверхностном слое металла шва, вызванным несоответствием параметров решеток металла и промежуточного слоя. В результате взаимодействия шлака с металлом легирующие элементы с большим, чем у железа, сродством к кислороду, диффундируя к поверхности раздела металл-шлак, приводят к появлению большой плотности дислокаций и других физических дефектов и увеличивают тем самым поверхностную энергию связи металла с промежуточным слоем. [16]
Структурное совершенство эпитаксиальных ферритовых пленок, а следовательно, и их важнейшие свойства в значительной мере определяются условиями выращивания. Дефекты, встречающиеся в эпитаксиальных пленках ферритов, обусловлены дефектами подложек, несоответствием параметров решеток пленки и подложки, включениями посторонних фаз или компонентов растворителя, примесями. Дефекты, вызванные низким качеством подложек, могут быть сведены к минимуму только применением совершенных кристаллов и улучшением их механической обработки. Дефекты, связанные с несоответствием параметров решеток пленки и подложки, проявляют себя в виде трещин и дислокаций. [17]
Механизм образования дефектов решетки в монокристаллических пленках недостаточно ясен. Хотя и рассмотрен ряд механизмов, однако экспериментального подтверждения ни один из них не получил. Установлено, что жидкостная коалесценция приводит к рекристаллизации и переориентации первоначальных зародышей, особенно, если они небольшие. Это учитывается при рассмотрении любого механизма генерации дефектов решетки в растущих пленках. Коалесценция зародышей и островков увеличивает дефекты, сглаживающие несоответствие параметров решеток. В последних исследованиях Джессера и Мэтьюса показано, что образование дислокаций несоответствия и дефектов упаковки происходит в результате появления напряжений осажденного слоя. [18]
 |
Модель дислокаций несоответствия на поверхности раздела PQ. [19] |
Несоответствие периодов решеток компенсируется за счет упругой деформации обеих граничащих друг с другом решеток. Если условия деформации таковы, что однородно по толщине искажается решетка лишь одного из граничащих друг с другом кристаллов, то говорят о явлении псевдоморфизма. Такая ситуация возникает, например, в тончайших эпи-таксиальных пленках некоторых веществ, сросшихся с поверхностью массивного монокристалла. Упругое искажение решетки одного или обоих граничащих друг с другом кристаллов может происходить лишь до определенных пределов. Поэтому в модели Ван-дер - Мерве вводится понятие о дислокациях несоответствия - - линейных дефектах, возникающих на межфазной границе. Эти дислокации появляются при наличии несоответствия параметров решетки, и они способствуют компенсации такого несоответствия. [20]
Страницы: 1 2