Нестабильность

Cтраница 4

Схема двухполупериод-ного преобразователя с двумя ключевыми ячейками. [46]

Нестабильность во времени преобразователей наблюдается даже при безукоризненном подборе транзисторов, так как изменения их параметров в результате старения происходят по-разному. Особенно ярко дрейф транзисторов проявляется при работе преобразователя в условиях циклического изменения температуры. Согласно этим данным, вибропреобразователи не имеют дрейфа. Модулятор на вакуумных триодах характеризуется дрейфом 25 мкв / мин. Модуляторы на вакуумных и полупроводниковых диодах имеют дрейф 1 мкв / мин. Транзисторные модуляторы имеют дрейф меньше 1 мкв / мин. Дрейф преобразователя на фотосопротивлениях составляет. Наиболее стабильным по уровню входной мощности является модулятор на фотосопротивлениях; имея входное сопротивление 200 - 300 ком, он дает дрейф порядка 10 - 17 вт / мин. Транзисторный преобразователь с низкоомной нагрузкой характеризуется средней нестабильностью показаний порядка 10 - 15 вт / мин в течение 8 часов работы. [47]

Нестабильность f при изменении в больших пределах температуры окружающей среды вызывается изменением Яобр эмиттер - база, включенного параллельно цепи разряда конденсатора С. С увеличением температуры период Т уменьшается. [48]

Нестабильность проявляется в нечетком ( размытом) изображении сигнала на экране осциллографа ( особенно крутых участков сигнала) и приводит к ухудшению разрешающей способности преобразователя, что эквивалентно сужению его полосы пропускания. [49]

Нестабильность и технологический разброс параметров полупроводниковых элементов больше всего сказываются в двухканаль-ных приборах для преобразования входных напряжений или токов. [50]

Нестабильность постоянных времени детектора объясняется несколькими причинами. Все они влияют, главным образом. Постоянная времени заряда детектора может изменяться при изменении его входного напряжения. [51]

Нестабильность во многих случаях обусловлена старением отдельных элементов средства измерений и другими причинами. [52]

Нестабильность определяют на основании длительных исследований средства измерений, при этом полезны периодические сличения с более стабильными средствами измерений. Обычно устанавливают нестабильность за один год. [53]

Нестабильность v нормального элемента характеризуется изменением действительного значения ЭДС за год. [54]

Выходная характеристика транзистора MOSFET. при использовании транзистора в СВ рабочая точка на характеристике открытого транзистора находится в третьем квадранте. [55]

Нестабильность при изменении тока нагрузки от 1 до 30 А, мВ 50 Пульсации выходного напряжения, мВ ( пик-пик / действ, знач. [56]

Нестабильность или разброс результатов измерений вызывается разными причинами. [57]

Страницы: 1 2 3 4