Ножка - транзистор
Cтраница 1
 |
Конструкции маломощных сплавных транзисторов. [1] |
Ножка транзистора со смонтированной на ней структурой и баллон могут соединяться двумя методами: электросваркой и так называемой холодной сваркой. Последняя осуществляется соединением баллона и фланца ножки, изготовленных из пластичных материалов ( меди и ковара), под большим давлением, создаваемым пуансонами специальной формы. [2]
 |
Колокольная ванна для гальванического покрытия мелких деталей. [3] |
Ножки транзисторов ГТ313 золотят в цианистом электролите по слою никеля, осажденному химическим способом. Золочение производят в стационарной ванне ( рис. 65) с подогревом и бортовым отсосом. Внутренняя поверхность ванны покрыта эмалью. [4]
 |
Типовая зависимость остаточного напряжения на транзисторной структуре от места ее расположения в ряду плйнарной пластины. [5] |
Этот блок был затем наплавлен на ножку транзистора ГТ311, имеющую один отвод от корпуса и три изолированных вывода. Таким образом, коллекторы обеих структур оказались на корпусе, базы сведены к одному выводу, а эмиттер каждой структуры имел свой отдельный вывод. [6]
 |
Схема образования р-п - - р структуры в сплавном транзисторе. [7] |
Кристалл с вплавленными в него электродами затем крепится на ножке транзистора. [8]
 |
Ванна для химического никелирования изделий. [9] |
В последнее время производятся эксперименты по применению кислых растворов для химического никелирования ножек транзисторов. [10]
 |
Конструкция маломощного сплавного транзистора в корпусе с гер-метизацией электросваркой ( а и с холодной сваркой ( о. [11] |
Основным элементом транзистора является кристалл 3 с р - п-переходом, который помещается в корпус, состоящий из баллона 5 и стальной ножки ( основания) 11, и крепится на ножке транзистора. Баллон служит для механической прочности транзистора и для теплоотвода в окружающую среду. [12]
Транзисторы большой мощности имеют Рк доп свыше 3 вт. В этих транзисторах для увеличения РКДоп осуществляется непосредственный тепловой контакт коллектора с корпусом и вывод коллектора припаивается непосредственно к ножке транзистора. [13]
Короткие замыкания между внутренними электродами полупроводниковых приборов вызываются попаданием внутрь корпуса посторонних металлических частиц. Этот дефект одно время часто наблюдался у транзисторов повышенной мощности типов П201 - П203, П4, П302 - П304 и др. Свободные металлические частицы внутри корпуса появлялись за счет выплесков металла, вызванных нарушением режимов сварки корпуса и ножки транзисторов. Изменение конструкции ножки и применение специальных анти-выплесковых экранов ( этот вариант конструкции в обозначении имеет букву Э) существенно уменьшило возможность появления коротких замыканий. Однако только с переходом транзисторов повышенной мощности на холод-носварные корпуса ( П215 - П216 и др.) этот дефект практически исчез, если не считать единичных случаев попадания внутрь корпуса посторонних металлических частиц, образующихся при обрезке металлических перемычек. [14]
Толщину покрытия при никелировании определяют струйно-объемным методом. Окончив никелирование, изделия выгружают из колокола, промывают в холодной и горячей воде, обдувают струей воздуха для удаления воды и сушат на фильтровальной бумаге в сушильном шкафу. Ножки транзисторов типа КТ802А никелируют электролитическим методом в стационарной ванне. [15]
Страницы: 1 2