Носитель - ток
Cтраница 1
Носители тока в переходных формах углерода находятся в вырожденном состоянии или в состоянии частичного вырождения. [1]
Носители тока как бы попадают в ловушку, выход из которой весьма затруднен. Оказывается также, что подобные центры захвата способствуют возникновению шумов в полупроводниковых усилителях. [2]
Носители тока в полупроводнике характеризуются не только знаком, но и большим или меньшим взаимодействием с решеткой. Последнее сказывается в том, что законы движения зарядов внутри полупроводника определяются не массой т0 свободного электрона, а некоторой величиной т, которую называют эффективной массой. Значение ее тесно связано с большей или меньшей подвижностью носителей тока и имеет поэтому решающее значение для важнейших применений полупроводников: в термоэлектрических батареях, в выпрямителях и усилителях тока, в фотосопротивлениях. [3]
Носители тока в газах могут возникать в результате внешних воздействий, не связанных с наличием электрического поля. [4]
 |
Ячейка проводимости. [5] |
Носители тока могут быть генерированы не только термически, но и оптически. Это показывает уменьшение сопротивления органического полупроводника при освещении его светом в области оптического поглощения. Возрастание тока в полупроводнике, находящемся под напряжением, при освещении называют фототоком. Он зависит от природы вещества, его физического состояния, температуры, интенсивности освещения. [6]
 |
Схема работы полупроводникового выпрямителя.| Схема действия транзис - тора. [7] |
Носители тока - электроны и дырки - показаны соответственно темными и светлыми кружками. [8]
Носители тока в газах могут возникать в результате внешних воздействий, не связанных с наличием электрического поля. В этом случае говорят о несамостоятельной проводим о-с т и газа. Несамостоятельный разряд может быть вызван нагреванием газа ( термическая ионизация), воздействием ультрафиолетовых или рентгеновских лучей, а также воздействием излучения радиоактивных веществ. [9]
Носители тока, обладающие скоростью направленного движения, большей ее среднего значения, отклоняются в направлении действия силы Лоренца. Достигнув соответствующей грани полупроводника ( см. рис. 4 - 9), они передают там свою избыточную энергию кристаллической решетке, в результате чего температура данной области полупроводника повышается. Носители же тока, скорость которых меньше ее среднего значения, смещаются в противоположную сторону. При этом они пополняют запас своей энергии за счет энергии кристаллической решетки, и температура полупроводника в области противоположной грани понижается. [10]
Носители тока взаимодействуют главным образом с решеткой, и время релаксации при этом взаимодействии много меньше их времени жизни; при этом устанавливается квазиравновесное распределение с температурой, общей для носителей тока и решетки; соотношение (60.1) будет вы подняться, причем Т соответствует температуре, измеряемой на опыте. [11]
Носители тока в полупроводнике характеризуются не только знаком, но и большим или меньшим взаимодействием с решеткой. Последнее сказывается J в том, что законы движения зарядов внутри полупроводника определяются не массой т0 свободного электрона, а некоторой величиной т, которую называют эффективной массой. Значение ее тесно связано с большей или меньшей подвижностью носителей тока и имеет поэтому решающее значение для важнейших применений полупроводников: в термоэлектрических батареях, в выпрямителях и усилителях тока, в фотосопротивлениях. [12]
 |
Энергетическая схема полупроводника. [13] |
Носителями тока в полупроводнике являются электроны, которые могут свободно перемещаться по кристаллу. Так как эти электроны в кристалле притягиваются положительными ионами, то их энергия в полупроводнике меньше, чем энергия свободных элск - f тронов в вакууме, и для того чтобы вырвать электрон из полупроводника, необходимо сообщить ему дополнительную энергию. Ясно, что чем больше энергия электрона в кристалле, тем меньше эта дополнительная энергия. [14]
Носителями тока в полупроводниках могут быть как электроны, передвигающиеся под действием тока в зоне проводимости, так и дырки, которые описываются как пустые квантовые состояния в валентной энергетической зоне кристалла и которые можно рассматривать как свободные положительно заряженные частицы с зарядом, равным по абсолютной величине заряду электрона. [15]
Страницы: 1 2 3 4