Cтраница 4
Основная трудность в создании твердых внутренних контактов мембраны с металлическим проводником без внутреннего заполнения ИСЭ заключается в следующем. В большинстве мембран носителем электрического тока являются ионы, а в металлах - электроны. Поэтому необходимо создать на границе соприкосновения мембраны с металлическим токоотводом такое устройство, которое обеспечит смену ионного носителя электричества тока на электронный. При этом должно быть обеспечено условие, чтобы между мембраной и токоотводом устанавливалась устойчивая и воспроизводимая разность электрических потенциалов. [46]
Появление электрического тока в полупроводнике возможно лишь тогда, когда часть электронов покидает заполненную валентную зону и переходит в зону проводимости, где они становятся носителями электрического тока. При нагреве увеличивается концентрация носителей электрического тока, а электросопротивление полупроводника уменьшается. [47]
![]() |
Расположение энергетических зон примесных полупроводников. [48] |
Перемещение дырок в кристаллической решетке полупроводника от атома к атому, например, под влиянием электрического поля, приводит к образованию электрического тока. В полупроводнике с акцепторными примесями носители электрического тока положительны, поэтому его называют полупроводником р-типа. [49]