Примесный носитель

Cтраница 2

& Епр - энергия, необходимая для создания примесного носителя заряда, С и С - коэффициенты, зависящие от природы полупроводника и очень слабо зависящие от температуры. При сравнительно низких температурах обычно можно пренебречь первым слагаемым в формуле (5.38), а при высоких, когда наступает примесное истощение, - вторым. [16]

Изменение подвижности от температуры. [17]

Кривая 1 с участком уменьшения проводимости включает область истощения примесных носителей тока, когда преобладает тепловой механизм их рассеяния. Электропроводность снижается с температурой за счет падения подвижности при практически постоянной концентрации носителей тока. С наступлением собственной проводимости электропроводность снова растет из-за увеличения концентрации носителей тока. Кривая же 2 показывает, что в области истощения примесных носителей в основном происходит рассеяние на ионах примеси, а потому с повышением температуры проводимость продолжает расти. [18]

При достаточно высоких температурах концентрация собственных носителей заряда может превысить концентрацию примесных носителей. [19]

Эффекты, обусловленные электрическим полем, более сложны, поскольку на них влияют примесные носители заряда и электрохимические явления, однако они очень ярко проявляются и важны для приложений, в частности для систем дисплеев. Жидкокристаллические пленки недороги, работают при низком напряжении и малой мощности. Они часто могут действовать при солнечном свете, поскольку модулируют отраженный свет, включая и солнечный, и таким образом обеспечивают хороший контраст. [20]

Температурные зависимости электропроводности ( б и концентрации носителей заряда ( а в полупроводниках. 1 - область примесной проводимости. 2 - область насыщения. S - область гобствснной проводимости. [21]

В области высоких температур ( область 3) концентрация собственных носителей превышает концентрацию примесных носителей. Здесь наблюдается резкий рост как концентрации носителей, так и проводимости. [22]

Зависимость электропроводности примесных полупроводников от. [23]

Таким образом, участок ab отвечает примесной проводимости полупроводника, возникающей вследствие ионизации примесных атомов, приводящей к появлению примесных носителей заряда. [24]

Таким образом, область ab отвечает примесной проводимости полупроводника, возникающей вследствие ионизации примесных атомов, приводящей к появлению примесных носителей тока. [25]

Если в примесный полупроводник, обладающий электронной проводимостью, ввести акцепторные примеси, то они будут захватывать электроны, уменьшая тем самым концентрацию примесных носителей заряда. То же самое происходит и при введении донорных примесей в примесный полупроводник с дырочной проводимостью. [26]

Для германия относительная диэлектрическая постоянная е 16, а удельная проводимость о изменяется в довольно широких пределах в зависимости от концентрации и подвижности основных и примесных носителей. [27]

В области низких температур в полупроводнике имеет место примесная проводимость ( участки d - с и d - с), увеличение которой в зависимости от температуры определяется возрастанием концентрации примесных носителей заряда. Участки с - Ъ и с - Ъ соответствуют температурам, при которых все атомы примеси ионизированы, а собственная проводимость еще очень мала. За счет уменьшения подвижности носителей в зависимости от температуры проводимость полупроводника при этом несколько уменьшается. При дальнейшем возрастании температуры преобладающей становится собственная проводимость, которая быстро увеличивается с изменением температуры за счет возрастания концентрации собственных носителей заряда. [28]

С другой стороны, эта оценка показывает, что мы, очевидно, никогда не сможем достигнуть такой степени чистоты, при которой концентрация собственных носителей была хотя бы сравнима с концентрацией примесных носителей, следовательно, измеренная электропроводность в большинстве случаев соответствует примесной проводимости. [29]

Существует правило, согласно которому для получения примесного полупроводника с заданным характером проводимости необходимо, чтобы концентрация в нем собственных носителей тока была, как минимум, на два порядка ниже концентрации примесных носителей. С ростом температуры концентрация собственных носителей возрастает, что приводит к необходимости указывать температурный предел использования примесных полупроводников. Чем больше ширина запрещенной зоны, тем выше температура, до которой применение данного примесного полупроводника является целесообразным. ДЕ 2 86 эВ) практический температурный предел применимости составляет 60, 80 и 500 С соответственно. [30]

Страницы: 1 2 3 4